品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC020N03LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€96W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:93nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7200pF@15V
连续漏极电流:28A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS04DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:93nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4460pF@15V
连续漏极电流:50.5A€80A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB65R045C7ATMA2
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:4V@1.25mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:93nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4340pF@400V
连续漏极电流:46A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@24.9A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS04DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:93nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4460pF@15V
连续漏极电流:50.5A€80A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS04DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:93nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4460pF@15V
连续漏极电流:50.5A€80A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA62DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.2W€65.7W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:93nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4460pF@15V
连续漏极电流:51.4A€80A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC020N03LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€96W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:93nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7200pF@15V
连续漏极电流:28A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC020N03LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€96W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:93nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7200pF@15V
连续漏极电流:28A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":20000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC020N03LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€96W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:93nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7200pF@15V
连续漏极电流:28A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA62DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.2W€65.7W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:93nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4460pF@15V
连续漏极电流:51.4A€80A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS04DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:93nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4460pF@15V
连续漏极电流:50.5A€80A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS04DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:93nC@10V
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输入电容:4460pF@15V
连续漏极电流:50.5A€80A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA62DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.2W€65.7W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:93nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4460pF@15V
连续漏极电流:51.4A€80A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB65R045C7ATMA2
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:4V@1.25mA
栅极电荷:93nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4340pF@400V
连续漏极电流:46A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@24.9A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS04DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:93nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4460pF@15V
连续漏极电流:50.5A€80A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA62DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.2W€65.7W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:93nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4460pF@15V
连续漏极电流:51.4A€80A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA62DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.2W€65.7W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:93nC@10V
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输入电容:4460pF@15V
连续漏极电流:51.4A€80A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA62DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.2W€65.7W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:93nC@10V
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输入电容:4460pF@15V
连续漏极电流:51.4A€80A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB65R045C7ATMA2
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:4V@1.25mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:93nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4340pF@400V
连续漏极电流:46A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@24.9A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB65R045C7ATMA2
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:4V@1.25mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:93nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4340pF@400V
连续漏极电流:46A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@24.9A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB65R045C7ATMA2
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:4V@1.25mA
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包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:46A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@24.9A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS04DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:2.2V@250µA
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输入电容:4460pF@15V
连续漏极电流:50.5A€80A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS04DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:93nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4460pF@15V
连续漏极电流:50.5A€80A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":25}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB65R045C7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:4V@1.25mA
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栅极电荷:93nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4340pF@400V
连续漏极电流:46A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@24.9A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA62DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.2W€65.7W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:93nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4460pF@15V
连续漏极电流:51.4A€80A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB65R045C7ATMA2
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:4V@1.25mA
栅极电荷:93nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4340pF@400V
连续漏极电流:46A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@24.9A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":20000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC020N03LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€96W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:93nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7200pF@15V
连续漏极电流:28A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC020N03LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€96W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:93nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7200pF@15V
连续漏极电流:28A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC020N03LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€96W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:93nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7200pF@15V
连续漏极电流:28A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS04DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:93nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4460pF@15V
连续漏极电流:50.5A€80A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: