品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SP8K2HZGTB
功率:1.4W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:10.1nC@5V
输入电容:520pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:2个N沟道
导通电阻:30mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SP8K2HZGTB
功率:1.4W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:10.1nC@5V
输入电容:520pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:2个N沟道
导通电阻:30mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SP8K2HZGTB
功率:1.4W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:10.1nC@5V
输入电容:520pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:2个N沟道
导通电阻:30mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SP8K2HZGTB
功率:1.4W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:10.1nC@5V
输入电容:520pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:2个N沟道
导通电阻:30mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":5000}
销售单位:个
规格型号(MPN):UPA2371T1P-E1-A
ECCN:EAR99
连续漏极电流:6A
类型:2个N沟道
漏源电压:24V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2025UFDB-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:12.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:486pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:2个N沟道
导通电阻:25mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:蓝箭电子(BLUE ROCKET ELECTRONICS)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BR8205
功率:1.14W
阈值电压:1.2V@250μA
连续漏极电流:6A
类型:2个N沟道
导通电阻:30mΩ@2.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Sanyo Denki
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":15000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FW274-TL-E
功率:2.2W
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.1nC@10V
输入电容:490pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:2个N沟道
导通电阻:37mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2025UFDB-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:12.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:486pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:2个N沟道
导通电阻:25mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2025UFDB-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:12.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:486pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:2个N沟道
导通电阻:25mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SP8K2HZGTB
功率:1.4W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:10.1nC@5V
输入电容:520pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:2个N沟道
导通电阻:30mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SP8K2HZGTB
功率:1.4W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:10.1nC@5V
输入电容:520pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:2个N沟道
导通电阻:30mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SP8K2HZGTB
功率:1.4W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:10.1nC@5V
输入电容:520pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:2个N沟道
导通电阻:30mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SP8K2HZGTB
功率:1.4W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:10.1nC@5V
输入电容:520pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:2个N沟道
导通电阻:30mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SP8K2HZGTB
功率:1.4W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:10.1nC@5V
输入电容:520pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:2个N沟道
导通电阻:30mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Sanyo Denki
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":15000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FW274-TL-E
功率:2.2W
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.1nC@10V
输入电容:490pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:2个N沟道
导通电阻:37mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2025UFDB-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:12.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:486pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:2个N沟道
导通电阻:25mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2025UFDB-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:12.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:486pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:2个N沟道
导通电阻:25mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Sanyo Denki
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":15000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FW274-TL-E
功率:2.2W
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.1nC@10V
输入电容:490pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:2个N沟道
导通电阻:37mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Sanyo Denki
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":15000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FW274-TL-E
功率:2.2W
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.1nC@10V
输入电容:490pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:2个N沟道
导通电阻:37mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:蓝箭电子(BLUE ROCKET ELECTRONICS)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BR8205
功率:1.14W
阈值电压:1.2V@250μA
连续漏极电流:6A
类型:2个N沟道
导通电阻:30mΩ@2.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:蓝箭电子(BLUE ROCKET ELECTRONICS)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BR8205
功率:1.14W
阈值电压:1.2V@250μA
连续漏极电流:6A
类型:2个N沟道
导通电阻:30mΩ@2.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:蓝箭电子(BLUE ROCKET ELECTRONICS)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BR8205
功率:1.14W
阈值电压:1.2V@250μA
连续漏极电流:6A
类型:2个N沟道
导通电阻:30mΩ@2.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Sanyo Denki
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FW274-TL-E
功率:2.2W
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.1nC@10V
输入电容:490pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:2个N沟道
导通电阻:37mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Sanyo Denki
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":15000}
销售单位:个
规格型号(MPN):EMH2412-TL-H
功率:1.3W
阈值电压:1.3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.3nC@4.5V
包装方式:散装
连续漏极电流:6A
类型:2个N沟道
导通电阻:27mΩ@3A,4.5V
漏源电压:24V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SP8K2HZGTB
栅极电荷:10.1nC@5V
功率:1.4W
漏源电压:30V
阈值电压:2.5V@1mA
输入电容:520pF@10V
连续漏极电流:6A
导通电阻:30mΩ@6A,10V
类型:2个N沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:蓝箭电子(BLUE ROCKET ELECTRONICS)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BR8205
漏源电压:20V
导通电阻:30mΩ@2.5V
阈值电压:1.2V@250μA
连续漏极电流:6A
功率:1.14W
类型:2个N沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SP8K2HZGTB
栅极电荷:10.1nC@5V
功率:1.4W
漏源电压:30V
阈值电压:2.5V@1mA
输入电容:520pF@10V
连续漏极电流:6A
导通电阻:30mΩ@6A,10V
类型:2个N沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Sanyo Denki
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"10+":15000}
规格型号(MPN):FW274-TL-E
功率:2.2W
漏源电压:30V
栅极电荷:9.1nC@10V
阈值电压:2.6V@1mA
类型:2个N沟道
导通电阻:37mΩ@6A,10V
连续漏极电流:6A
ECCN:EAR99
输入电容:490pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2025UFDB-7
栅极电荷:12.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
类型:2个N沟道
工作温度:-55℃~+150℃
阈值电压:1V@250μA
漏源电压:20V
连续漏极电流:6A
输入电容:486pF@10V
导通电阻:25mΩ@4A,4.5V
功率:700mW
包装清单:商品主体 * 1
库存: