采购热线 400-661-9010
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP32P20T
工作温度：-55℃~150℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：185nC@10V
包装方式：管件
输入电容：14500pF@25V
连续漏极电流：32A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@16A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ469EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：155nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5100pF@40V
连续漏极电流：32A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@10.2A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：10psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTN32P60P
工作温度：-55℃~150℃
功率：890W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：196nC@10V
包装方式：管件
输入电容：11100pF@25V
连续漏极电流：32A
类型：P沟道
导通电阻：350mΩ@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ469EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：155nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5100pF@40V
连续漏极电流：32A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@10.2A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ479EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4500pF@25V
连续漏极电流：32A
类型：P沟道
导通电阻：33mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ469EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：155nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5100pF@40V
连续漏极电流：32A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@10.2A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ479EP-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4500pF@25V
连续漏极电流：32A
类型：P沟道
导通电阻：33mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP32P20T
工作温度：-55℃~150℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：185nC@10V
包装方式：管件
输入电容：14500pF@25V
连续漏极电流：32A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@16A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP32P20T
工作温度：-55℃~150℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：185nC@10V
包装方式：管件
输入电容：14500pF@25V
连续漏极电流：32A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@16A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2500，"MI+"：4940}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD4685-F085P
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2380pF@20V
连续漏极电流：32A
类型：P沟道
导通电阻：27mΩ@8.4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ479EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4500pF@25V
连续漏极电流：32A
类型：P沟道
导通电阻：33mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ479EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4500pF@25V
连续漏极电流：32A
类型：P沟道
导通电阻：33mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ479EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4500pF@25V
连续漏极电流：32A
类型：P沟道
导通电阻：33mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTX32P60P
工作温度：-55℃~150℃
功率：890W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：196nC@10V
输入电容：11100pF@25V
连续漏极电流：32A
类型：P沟道
导通电阻：350mΩ@16A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ401EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：164nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10015pF@6V
连续漏极电流：32A
类型：P沟道
导通电阻：6mΩ@15A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP32P20T
工作温度：-55℃~150℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：185nC@10V
包装方式：管件
输入电容：14500pF@25V
连续漏极电流：32A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@16A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTA32P05T
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1975pF@25V
连续漏极电流：32A
类型：P沟道
导通电阻：39mΩ@500mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ479EP-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4500pF@25V
连续漏极电流：32A
类型：P沟道
导通电阻：33mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ479EP-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4500pF@25V
连续漏极电流：32A
类型：P沟道
导通电阻：33mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ469EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：155nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5100pF@40V
连续漏极电流：32A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@10.2A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ479EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4500pF@25V
连续漏极电流：32A
类型：P沟道
导通电阻：33mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ401EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：164nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10015pF@6V
连续漏极电流：32A
类型：P沟道
导通电阻：6mΩ@15A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ479EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4500pF@25V
连续漏极电流：32A
类型：P沟道
导通电阻：33mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTX32P60P
工作温度：-55℃~150℃
功率：890W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：196nC@10V
输入电容：11100pF@25V
连续漏极电流：32A
类型：P沟道
导通电阻：350mΩ@16A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTX32P60P
工作温度：-55℃~150℃
功率：890W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：196nC@10V
输入电容：11100pF@25V
连续漏极电流：32A
类型：P沟道
导通电阻：350mΩ@16A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ479EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4500pF@25V
连续漏极电流：32A
类型：P沟道
导通电阻：33mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ469EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：155nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5100pF@40V
连续漏极电流：32A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@10.2A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD4685-F085P
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：27nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2380pF@20V
连续漏极电流：32A
类型：P沟道
导通电阻：27mΩ@8.4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTX32P60P
工作温度：-55℃~150℃
功率：890W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：196nC@10V
输入电容：11100pF@25V
连续漏极电流：32A
类型：P沟道
导通电阻：350mΩ@16A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ401EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：164nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10015pF@6V
连续漏极电流：32A
类型：P沟道
导通电阻：6mΩ@15A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
