采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2014LHAB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1550pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：13mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2014LHAB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1550pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：13mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN2014LHAB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1550pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：13mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN2014LHAB-7
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功率：800mW
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：1550pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：2N沟道（双）共漏
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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功率：800mW
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ECCN：EAR99
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输入电容：1550pF@10V
连续漏极电流：9A
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN2014LHAB-7
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功率：800mW
阈值电压：1.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1550pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：13mΩ@4A，4.5V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN2014LHAB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1550pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：13mΩ@4A，4.5V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2014LHAB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1550pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：13mΩ@4A，4.5V
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN2014LHAB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
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输入电容：1550pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：13mΩ@4A，4.5V
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库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：EMH2418R-TL-H
工作温度：150℃
功率：1.3W
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ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：9A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：15mΩ@4A，4.5V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN2014LHAB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
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输入电容：1550pF@10V
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规格型号(MPN)：DMN2014LHAB-7
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阈值电压：1.1V@250µA
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输入电容：1550pF@10V
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导通电阻：13mΩ@4A，4.5V
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品牌：ON SEMI
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行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：1000}
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规格型号(MPN)：EMH2418R-TL-H
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ECCN：EAR99
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连续漏极电流：9A
类型：2N沟道（双）共漏
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漏源电压：24V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：EMH2418R-TL-H
工作温度：150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：9A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：15mΩ@4A，4.5V
漏源电压：24V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN2014LHAB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1.1V@250µA
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输入电容：1550pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：13mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN2014LHAB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1550pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：13mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2014LHAB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1550pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：13mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2014LHAB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1550pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：13mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2014LHAB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1550pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：13mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2014LHAB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1550pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：13mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"21+"：1000}
规格型号(MPN)：EMH2418R-TL-H
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
阈值电压：1.3V@1mA
功率：1.3W
漏源电压：24V
导通电阻：15mΩ@4A，4.5V
连续漏极电流：9A
类型：2N沟道（双）共漏
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2014LHAB-7
包装方式：卷带（TR）
功率：800mW
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：9A
漏源电压：20V
类型：2N沟道（双）共漏
阈值电压：1.1V@250µA
输入电容：1550pF@10V
导通电阻：13mΩ@4A，4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"21+"：1000}
规格型号(MPN)：EMH2418R-TL-H
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
阈值电压：1.3V@1mA
功率：1.3W
漏源电压：24V
导通电阻：15mΩ@4A，4.5V
连续漏极电流：9A
类型：2N沟道（双）共漏
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EMH2418R-TL-H
工作温度：150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：9A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：15mΩ@4A，4.5V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2014LHAB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1550pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：13mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2014LHAB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1550pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：13mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EMH2418R-TL-H
工作温度：150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：9A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：15mΩ@4A，4.5V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
