销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：100nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：2.2kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：180MHz

功率：360mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：100nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：180MHz

功率：360mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：PMZB950UPELYL

工作温度：-55℃~150℃

功率：360mW

阈值电压：950mV@250µA

栅极电荷：2.1nC@4.5V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：43pF@10V

连续漏极电流：500mA

类型：P沟道

导通电阻：1.4Ω@500mA，4.5V

漏源电压：20V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSS123TA

工作温度：-55℃~150℃

功率：360mW

阈值电压：2V@1mA

包装方式：卷带（TR）

输入电容：20pF@25V

连续漏极电流：170mA

类型：N沟道

导通电阻：6Ω@100mA，10V

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSS169H6327XTSA1

工作温度：-55℃~150℃

功率：360mW

阈值电压：1.8V@50µA

栅极电荷：2.8nC@7V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：68pF@25V

连续漏极电流：170mA

类型：N沟道

导通电阻：6Ω@170mA，10V

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSS138-G

工作温度：-55℃~150℃

功率：360mW

阈值电压：1.5V@1mA

ECCN：EAR99

栅极电荷：2.4nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：27pF@25V

连续漏极电流：220mA

类型：N沟道

导通电阻：3.5Ω@220mA，10V

漏源电压：50V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSS123L

工作温度：-55℃~150℃

功率：360mW

阈值电压：2V@1mA

ECCN：EAR99

栅极电荷：2.5nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：21.5pF@25V

连续漏极电流：170mA

类型：N沟道

导通电阻：6Ω@170mA，10V

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NDS0610

工作温度：-55℃~150℃

功率：360mW

阈值电压：3.5V@1mA

栅极电荷：2.5nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：79pF@25V

连续漏极电流：120mA

类型：P沟道

导通电阻：10Ω@500mA，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SN7002NH6327XTSA2

工作温度：-55℃~150℃

功率：360mW

阈值电压：1.8V@26µA

栅极电荷：1.5nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：45pF@25V

连续漏极电流：200mA

类型：N沟道

导通电阻：5Ω@500mA，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSS138NH6327XTSA2

工作温度：-55℃~150℃

功率：360mW

阈值电压：1.4V@26µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：1.4nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：41pF@25V

连续漏极电流：230mA

类型：N沟道

导通电阻：3.5Ω@230mA，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：100nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：30@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：180MHz

功率：360mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SN7002NH6433XTMA1

工作温度：-55℃~150℃

功率：360mW

阈值电压：1.8V@26µA

栅极电荷：1.5nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：45pF@25V

连续漏极电流：200mA

类型：N沟道

导通电阻：5Ω@500mA，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：100nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@10mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：47kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：180MHz

功率：360mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SN7002NH6433XTMA1

工作温度：-55℃~150℃

功率：360mW

阈值电压：1.8V@26µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：1.5nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：45pF@25V

连续漏极电流：200mA

类型：N沟道

导通电阻：5Ω@500mA，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSS123L

工作温度：-55℃~150℃

功率：360mW

阈值电压：2V@1mA

栅极电荷：2.5nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：21.5pF@25V

连续漏极电流：170mA

类型：N沟道

导通电阻：6Ω@170mA，10V

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SN7002NH6327

功率：360mW

阈值电压：1.8V@26μA

连续漏极电流：200mA

类型：1个N沟道

导通电阻：5Ω@10V，500mA

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：10000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSS670S2LH6433XTMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：360mW

阈值电压：1.2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：1.7nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：540mA

类型：MOSFET

导通电阻：346mΩ

漏源电压：55V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NDS0605

工作温度：-55℃~150℃

功率：360mW

阈值电压：3V@250µA

栅极电荷：2.5nC@10V

输入电容：79pF@25V

连续漏极电流：180mA

类型：P沟道

导通电阻：5Ω@500mA，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSS83PH6327XTSA1

工作温度：-55℃~150℃

功率：360mW

阈值电压：2V@80µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：3.57nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：78pF@25V

连续漏极电流：330mA

类型：P沟道

导通电阻：2Ω@330mA，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：100nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：60@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：22kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：180MHz

功率：360mW

晶体管类型：PNP-预偏压

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSS123L

工作温度：-55℃~150℃

功率：360mW

阈值电压：2V@1mA

ECCN：EAR99

栅极电荷：2.5nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：21.5pF@25V

连续漏极电流：170mA

类型：N沟道

导通电阻：6Ω@170mA，10V

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSS131H6327XTSA1

工作温度：-55℃~150℃

功率：360mW

阈值电压：1.8V@56µA

栅极电荷：3.1nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：77pF@25V

连续漏极电流：110mA

类型：N沟道

导通电阻：14Ω@100mA，10V

漏源电压：240V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：9000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSS131 H6327

工作温度：-55℃~+150℃

功率：360mW

阈值电压：1.4V

栅极电荷：2.1nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：110mA

类型：MOSFET

导通电阻：7.7Ω

漏源电压：240V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NDS0610

工作温度：-55℃~150℃

功率：360mW

阈值电压：3.5V@1mA

栅极电荷：2.5nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：79pF@25V

连续漏极电流：120mA

类型：P沟道

导通电阻：10Ω@500mA，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SN7002NH6327XTSA2

工作温度：-55℃~150℃

功率：360mW

阈值电压：1.8V@26µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：1.5nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：45pF@25V

连续漏极电流：200mA

类型：N沟道

导通电阻：5Ω@500mA，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSS138-G

工作温度：-55℃~150℃

功率：360mW

阈值电压：1.5V@1mA

栅极电荷：2.4nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：27pF@25V

连续漏极电流：220mA

类型：N沟道

导通电阻：3.5Ω@220mA，10V

漏源电压：50V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSS138NH6327XTSA2

工作温度：-55℃~150℃

功率：360mW

阈值电压：1.4V@26µA

栅极电荷：1.4nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：41pF@25V

连续漏极电流：230mA

类型：N沟道

导通电阻：3.5Ω@230mA，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSS169IXTSA1

工作温度：-55℃~150℃

功率：360mW

阈值电压：1.8V@50µA

栅极电荷：2.1nC@7V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：51pF@25V

连续漏极电流：190mA

类型：N沟道

导通电阻：2.9Ω@190mA，10V

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NDS0610

工作温度：-55℃~150℃

功率：360mW

阈值电压：3.5V@1mA

栅极电荷：2.5nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：79pF@25V

连续漏极电流：120mA

类型：P沟道

导通电阻：10Ω@500mA，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV@250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：100nA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100@5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10kΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：230MHz

功率：360mW

晶体管类型：NPN-预偏压

包装清单：商品主体 * 1