包装规格(MPQ)：10000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSS670S2LH6433XTMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：360mW

阈值电压：1.2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：1.7nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：540mA

类型：MOSFET

导通电阻：346mΩ

漏源电压：55V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：9000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSS131 H6327

工作温度：-55℃~+150℃

功率：360mW

阈值电压：1.4V

栅极电荷：2.1nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：110mA

类型：MOSFET

导通电阻：7.7Ω

漏源电压：240V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：10000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSS670S2LH6433XTMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：360mW

阈值电压：1.2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：1.7nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：540mA

类型：MOSFET

导通电阻：346mΩ

漏源电压：55V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SN7002IXTSA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：360mW

阈值电压：1.8V@26μA

栅极电荷：900pC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：32pF@30V

连续漏极电流：200mA

类型：1个N沟道

导通电阻：5Ω@500mA，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：9000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSS131 H6327

工作温度：-55℃~+150℃

功率：360mW

阈值电压：1.4V

栅极电荷：2.1nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：110mA

类型：MOSFET

导通电阻：7.7Ω

漏源电压：240V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NDS0605

工作温度：-55℃~+150℃

功率：360mW

阈值电压：3V@250μA

栅极电荷：2.5nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：79pF@25V

连续漏极电流：180mA

类型：1个P沟道

导通电阻：5Ω@500mA，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SN7002IXTSA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：360mW

阈值电压：1.8V@26μA

栅极电荷：900pC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：32pF@30V

连续漏极电流：200mA

类型：1个N沟道

导通电阻：5Ω@500mA，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NDS0605

工作温度：-55℃~+150℃

功率：360mW

阈值电压：3V@250μA

栅极电荷：2.5nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：79pF@25V

连续漏极电流：180mA

类型：1个P沟道

导通电阻：5Ω@500mA，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SN7002IXTSA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：360mW

阈值电压：1.8V@26μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：900pC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：32pF@30V

连续漏极电流：200mA

类型：1个N沟道

导通电阻：5Ω@500mA，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SN7002IXTSA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：360mW

阈值电压：1.8V@26μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：900pC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：32pF@30V

连续漏极电流：200mA

类型：1个N沟道

导通电阻：5Ω@500mA，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SN7002IXTSA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：360mW

阈值电压：1.8V@26μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：900pC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：32pF@30V

连续漏极电流：200mA

类型：1个N沟道

导通电阻：5Ω@500mA，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NDS0605

工作温度：-55℃~+150℃

功率：360mW

阈值电压：3V@250μA

栅极电荷：2.5nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：79pF@25V

连续漏极电流：180mA

类型：1个P沟道

导通电阻：5Ω@500mA，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：10000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSS670S2LH6433XTMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：360mW

阈值电压：1.2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：1.7nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：540mA

类型：MOSFET

导通电阻：346mΩ

漏源电压：55V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：10000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSS670S2LH6433XTMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：360mW

阈值电压：1.2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：1.7nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：540mA

类型：MOSFET

导通电阻：346mΩ

漏源电压：55V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SN7002IXTSA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：360mW

阈值电压：1.8V@26μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：900pC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：32pF@30V

连续漏极电流：200mA

类型：1个N沟道

导通电阻：5Ω@500mA，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NDS0605

工作温度：-55℃~+150℃

功率：360mW

阈值电压：3V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：2.5nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：79pF@25V

连续漏极电流：180mA

类型：1个P沟道

导通电阻：5Ω@500mA，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：10000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSS670S2LH6433XTMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：360mW

阈值电压：1.2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：1.7nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：540mA

类型：MOSFET

导通电阻：346mΩ

漏源电压：55V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：10000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSS670S2LH6433XTMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：360mW

阈值电压：1.2V

栅极电荷：1.7nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：540mA

类型：MOSFET

导通电阻：346mΩ

漏源电压：55V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：10000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSS670S2LH6433XTMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：360mW

阈值电压：1.2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：1.7nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：540mA

类型：MOSFET

导通电阻：346mΩ

漏源电压：55V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NDS0605

工作温度：-55℃~+150℃

功率：360mW

阈值电压：3V@250μA

栅极电荷：2.5nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：79pF@25V

连续漏极电流：180mA

类型：1个P沟道

导通电阻：5Ω@500mA，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：9000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSS131 H6327

工作温度：-55℃~+150℃

功率：360mW

阈值电压：1.4V

栅极电荷：2.1nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：110mA

类型：MOSFET

导通电阻：7.7Ω

漏源电压：240V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：10000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SN7002N H6433

工作温度：-55℃~+150℃

功率：360mW

阈值电压：1.8V

栅极电荷：1nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：200mA

类型：MOSFET

导通电阻：5Ω

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：6000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSS139 H6327

工作温度：-55℃~+150℃

功率：360mW

阈值电压：2.1V

栅极电荷：2.3nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：100mA

类型：MOSFET

导通电阻：7.8Ω

漏源电压：250V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：17+

包装规格(MPQ)：9000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSS83P H6327

工作温度：-55℃~+150℃

功率：360mW

阈值电压：2V

栅极电荷：2.38nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：330mA

类型：MOSFET

导通电阻：1.4Ω

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSS123-G

工作温度：-55℃~+150℃

功率：360mW

阈值电压：2V

栅极电荷：1.8nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：170mA

类型：MOSFET

导通电阻：10Ω

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：18000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSS84P H6327

工作温度：-55℃~+150℃

功率：360mW

阈值电压：2V

栅极电荷：1nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：170mA

类型：MOSFET

导通电阻：5.8Ω

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：10000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SN7002N H6433

工作温度：-55℃~+150℃

功率：360mW

阈值电压：1.8V

栅极电荷：1nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：200mA

类型：MOSFET

导通电阻：5Ω

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"19+"：8926，"22+"：38958}

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSS123-G

工作温度：-55℃~+150℃

功率：360mW

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：1.8nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：170mA

类型：MOSFET

导通电阻：10Ω

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：6000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSS169 H6327

工作温度：-55℃~+150℃

功率：360mW

阈值电压：2.9V

栅极电荷：2.1nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：170mA

类型：MOSFET

导通电阻：2.9Ω

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：10000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSS670S2LH6433XTMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：360mW

阈值电压：1.2V

栅极电荷：1.7nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：540mA

类型：MOSFET

导通电阻：346mΩ

漏源电压：55V

包装清单：商品主体 * 1