品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":12150}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTH4L040N120M3S
工作温度:-55℃~175℃
功率:231W
阈值电压:4.4V@10mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@18V
包装方式:管件
输入电容:1700pF@800V
连续漏极电流:54A
类型:N沟道
导通电阻:54mΩ@20A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":893}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDI030N06
工作温度:-55℃~175℃
功率:231W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:151nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9815pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@75A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP030N06
工作温度:-55℃~175℃
功率:231W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:151nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9815pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@75A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":59950}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AUIRF2903ZSTRL
工作温度:-55℃~175℃
功率:231W
阈值电压:4V@150µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:240nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6320pF@25V
连续漏极电流:160A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@75A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP030N06
工作温度:-55℃~175℃
功率:231W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:151nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9815pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@75A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVH4L040N120M3S
工作温度:-55℃~175℃
功率:231W
阈值电压:4.4V@10mA
栅极电荷:75nC@18V
包装方式:管件
输入电容:1700pF@800V
连续漏极电流:54A
类型:N沟道
导通电阻:54mΩ@20A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6020KNJTL
工作温度:-55℃~150℃
功率:231W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1550pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:196mΩ@9.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":12150}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTH4L040N120M3S
工作温度:-55℃~175℃
功率:231W
阈值电压:4.4V@10mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@18V
包装方式:管件
输入电容:1700pF@800V
连续漏极电流:54A
类型:N沟道
导通电阻:54mΩ@20A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SMC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):S2M0080120D
工作温度:-55℃~175℃
功率:231W
阈值电压:4V@10mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@20V
包装方式:管件
输入电容:1324pF@1000V
连续漏极电流:41A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@20A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":4000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDI030N06
工作温度:-55℃~175℃
功率:231W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:151nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9815pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@75A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":599,"23+":31000}
销售单位:个
规格型号(MPN):AUIRFS8407-7P
工作温度:-55℃~175℃
功率:231W
阈值电压:3.9V@150µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:225nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7437pF@25V
连续漏极电流:240A
类型:N沟道
导通电阻:1.3mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":12150}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTH4L040N120M3S
工作温度:-55℃~175℃
功率:231W
阈值电压:4.4V@10mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@18V
包装方式:管件
输入电容:1700pF@800V
连续漏极电流:54A
类型:N沟道
导通电阻:54mΩ@20A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":18485,"19+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB240N03S4LR9ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:231W
阈值电压:2.2V@180µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:300nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20300pF@25V
连续漏极电流:240A
类型:N沟道
导通电阻:0.92mΩ@100A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AUIRFS8407-7TRL
工作温度:-55℃~175℃
功率:231W
阈值电压:3.9V@150µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:225nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7437pF@25V
连续漏极电流:240A
类型:N沟道
导通电阻:1.3mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":4000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDI030N06
工作温度:-55℃~175℃
功率:231W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:151nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9815pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@75A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":6200,"22+":4352,"23+":1600,"MI+":3200}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB029N06
工作温度:-55℃~175℃
功率:231W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:151nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9815pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@75A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SMC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):S2M0080120D
工作温度:-55℃~175℃
功率:231W
阈值电压:4V@10mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@20V
包装方式:管件
输入电容:1324pF@1000V
连续漏极电流:41A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@20A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6020KNJTL
工作温度:-55℃~150℃
功率:231W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1550pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:196mΩ@9.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6020KNJTL
工作温度:-55℃~150℃
功率:231W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1550pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:196mΩ@9.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":599,"23+":31000}
销售单位:个
规格型号(MPN):AUIRFS8407-7P
工作温度:-55℃~175℃
功率:231W
阈值电压:3.9V@150µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:225nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7437pF@25V
连续漏极电流:240A
类型:N沟道
导通电阻:1.3mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFS7437TRL7PP
工作温度:-55℃~175℃
功率:231W
阈值电压:3.9V@150µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:225nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7437pF@25V
连续漏极电流:195A
类型:N沟道
导通电阻:1.4mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":12150}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTH4L040N120M3S
工作温度:-55℃~175℃
功率:231W
阈值电压:4.4V@10mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@18V
包装方式:管件
输入电容:1700pF@800V
连续漏极电流:54A
类型:N沟道
导通电阻:54mΩ@20A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6520ENJTL
功率:231W
阈值电压:4V@630μA
栅极电荷:61nC@10V
输入电容:1.4nF@25V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:205mΩ@9.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":59950}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AUIRF2903ZSTRL
工作温度:-55℃~175℃
功率:231W
阈值电压:4V@150µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:240nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6320pF@25V
连续漏极电流:160A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@75A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6020KNJTL
工作温度:-55℃~150℃
功率:231W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1550pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:196mΩ@9.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":6200,"22+":4352,"23+":1600,"MI+":3200}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB029N06
工作温度:-55℃~175℃
功率:231W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:151nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9815pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@75A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6020ENZ4C13
工作温度:150℃
功率:231W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:196mΩ@9.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6020KNJTL
工作温度:-55℃~150℃
功率:231W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1550pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:196mΩ@9.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP030N06
工作温度:-55℃~175℃
功率:231W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:151nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9815pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@75A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6020KNJTL
工作温度:-55℃~150℃
功率:231W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1550pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:196mΩ@9.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: