品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7252DP-T1-GE3
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:46W
阈值电压:3.5V @ 250µA
栅极电荷:27nC @ 10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1170pF @ 50V
连续漏极电流:36.7A
类型:2 N-通道(双)
导通电阻:18 毫欧 @ 15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7252DP-T1-GE3
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:46W
阈值电压:3.5V @ 250µA
栅极电荷:27nC @ 10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1170pF @ 50V
连续漏极电流:36.7A
类型:2 N-通道(双)
导通电阻:18 毫欧 @ 15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7252DP-T1-GE3
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:46W
阈值电压:3.5V @ 250µA
栅极电荷:27nC @ 10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1170pF @ 50V
连续漏极电流:36.7A
类型:2 N-通道(双)
导通电阻:18 毫欧 @ 15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJT138K-AU_R1_000A1
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:236mW(Ta)
阈值电压:1.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1nC @ 4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF @ 25V
连续漏极电流:360mA(Ta)
类型:2 N-通道(双)
导通电阻:1.6 欧姆 @ 500mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1926DL-T1-GE3
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:510mW
阈值电压:2.5V @ 250µA
栅极电荷:1.4nC @ 10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:18.5pF @ 30V
连续漏极电流:370mA
类型:2 N-通道(双)
导通电阻:1.4 欧姆 @ 340mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7252DP-T1-GE3
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:46W
阈值电压:3.5V @ 250µA
栅极电荷:27nC @ 10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1170pF @ 50V
连续漏极电流:36.7A
类型:2 N-通道(双)
导通电阻:18 毫欧 @ 15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002V-TP
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:150mW
阈值电压:2.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF @ 25V
连续漏极电流:280mA
类型:2 N-通道(双)
导通电阻:2 欧姆 @ 500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2331
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7252ADP-T1-GE3
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.6W(Ta),33.8W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26.5nC @ 10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1266pF @ 50V
连续漏极电流:9.3A(Ta),28.7A(Tc)
类型:2 N-通道(双)
导通电阻:18.6 毫欧 @ 10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2315
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002VA
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:250mW
阈值电压:2.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF @ 25V
连续漏极电流:280mA
类型:2 N-通道(双)
导通电阻:7.5 欧姆 @ 50mA,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002V-TP
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:150mW
阈值电压:2.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF @ 25V
连续漏极电流:280mA
类型:2 N-通道(双)
导通电阻:2 欧姆 @ 500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJT138K-AU_R1_000A1
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:236mW(Ta)
阈值电压:1.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1nC @ 4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF @ 25V
连续漏极电流:360mA(Ta)
类型:2 N-通道(双)
导通电阻:1.6 欧姆 @ 500mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2315
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002VA
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:250mW
阈值电压:2.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF @ 25V
连续漏极电流:280mA
类型:2 N-通道(双)
导通电阻:7.5 欧姆 @ 50mA,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1926DL-T1-GE3
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:510mW
阈值电压:2.5V @ 250µA
栅极电荷:1.4nC @ 10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:18.5pF @ 30V
连续漏极电流:370mA
类型:2 N-通道(双)
导通电阻:1.4 欧姆 @ 340mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"09+":1993,"10+":414,"13+":60}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHD4508NT1G
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:1.13W
阈值电压:1.2V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4nC @ 4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:180pF @ 10V
连续漏极电流:3A
类型:2 N-通道(双)
导通电阻:75 毫欧 @ 3.1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2331
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7252ADP-T1-GE3
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.6W(Ta),33.8W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26.5nC @ 10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1266pF @ 50V
连续漏极电流:9.3A(Ta),28.7A(Tc)
类型:2 N-通道(双)
导通电阻:18.6 毫欧 @ 10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002V-TP
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:150mW
阈值电压:2.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF @ 25V
连续漏极电流:280mA
类型:2 N-通道(双)
导通电阻:2 欧姆 @ 500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2315
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002VA
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:250mW
阈值电压:2.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF @ 25V
连续漏极电流:280mA
类型:2 N-通道(双)
导通电阻:7.5 欧姆 @ 50mA,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7252DP-T1-GE3
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:46W
阈值电压:3.5V @ 250µA
栅极电荷:27nC @ 10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1170pF @ 50V
连续漏极电流:36.7A
类型:2 N-通道(双)
导通电阻:18 毫欧 @ 15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2331
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7252ADP-T1-GE3
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:3.6W(Ta),33.8W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26.5nC @ 10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1266pF @ 50V
连续漏极电流:9.3A(Ta),28.7A(Tc)
类型:2 N-通道(双)
导通电阻:18.6 毫欧 @ 10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJT138K-AU_R1_000A1
输入电容:50pF @ 25V
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:1.6 欧姆 @ 500mA,10V
漏源电压:50V
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
阈值电压:1.5V @ 250µA
功率:236mW(Ta)
栅极电荷:1nC @ 4.5V
连续漏极电流:360mA(Ta)
类型:2 N-通道(双)
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002V-TP
功率:150mW
输入电容:50pF @ 25V
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:2.5V @ 250µA
导通电阻:2 欧姆 @ 500mA,10V
连续漏极电流:280mA
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
漏源电压:60V
类型:2 N-通道(双)
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:2331
规格型号(MPN):SI7252ADP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:9.3A(Ta),28.7A(Tc)
导通电阻:18.6 毫欧 @ 10A,10V
输入电容:1266pF @ 50V
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
类型:2 N-通道(双)
阈值电压:4V @ 250µA
功率:3.6W(Ta),33.8W(Tc)
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
栅极电荷:26.5nC @ 10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMGD175XNEX
输入电容:81pF @ 15V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
阈值电压:1.25V @ 250µA
栅极电荷:1.65nC @ 4.5V
连续漏极电流:870mA(Ta)
导通电阻:252 毫欧 @ 900mA,4.5V
类型:2 N-通道(双)
功率:260mW(Ta)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2315
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002VA
输入电容:50pF @ 25V
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:2.5V @ 250µA
连续漏极电流:280mA
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
漏源电压:60V
功率:250mW
导通电阻:7.5 欧姆 @ 50mA,5V
类型:2 N-通道(双)
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存: