品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTK200N10P
工作温度:-55℃~175℃
功率:800W
阈值电压:5V@500µA
栅极电荷:240nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7600pF@25V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTQ200N10T
工作温度:-55℃~175℃
功率:550W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:152nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9400pF@25V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTK200N10P
工作温度:-55℃~175℃
功率:800W
阈值电压:5V@500µA
栅极电荷:240nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7600pF@25V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18535KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6620pF@30V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18510KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:75nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:11400pF@20V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18510KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:75nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:11400pF@20V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18535KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6620pF@30V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18510KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:75nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:11400pF@20V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18542KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5070pF@30V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:44mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18535KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6620pF@30V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18510KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:75nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:11400pF@20V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18535KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6620pF@30V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTK200N10P
工作温度:-55℃~175℃
功率:800W
阈值电压:5V@500µA
栅极电荷:240nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7600pF@25V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18536KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:108nC@10V
包装方式:管件
输入电容:11430pF@30V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:1.6mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18510KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:75nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:11400pF@20V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18510KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:75nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:11400pF@20V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTK200N10P
工作温度:-55℃~175℃
功率:800W
阈值电压:5V@500µA
栅极电荷:240nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7600pF@25V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTA200N055T2
工作温度:-55℃~175℃
功率:360W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:109nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6800pF@25V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@50A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTQ200N10T
工作温度:-55℃~175℃
功率:550W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:152nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9400pF@25V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18542KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5070pF@30V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:44mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18510KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:75nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:11400pF@20V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):10psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTN200N10T
工作温度:-55℃~175℃
功率:550W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:152nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9400pF@25V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18542KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5070pF@30V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:44mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTK200N10P
工作温度:-55℃~175℃
功率:800W
阈值电压:5V@500µA
栅极电荷:240nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7600pF@25V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18535KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6620pF@30V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18510KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:75nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:11400pF@20V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18535KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6620pF@30V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18535KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6620pF@30V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18535KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6620pF@30V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: