品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G4953S
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:520pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:2个P沟道
导通电阻:36mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC655BN
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
输入电容:570pF@15V
连续漏极电流:6.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:25mΩ@10V,6.3A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC655BN
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
输入电容:570pF@15V
连续漏极电流:6.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:25mΩ@10V,6.3A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC655BN
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
输入电容:570pF@15V
连续漏极电流:6.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:25mΩ@10V,6.3A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA8878
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.4W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:720pF@15V
连续漏极电流:9A€10A
类型:1个N沟道
导通电阻:16mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G4953S
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:520pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:2个P沟道
导通电阻:36mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":5547,"21+":368,"22+":2450}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA8878
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.4W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:720pF@15V
连续漏极电流:9A€10A
类型:1个N沟道
导通电阻:16mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC655BN
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
输入电容:570pF@15V
连续漏极电流:6.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:25mΩ@10V,6.3A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G4953S
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:520pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:2个P沟道
导通电阻:36mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC654P
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:298pF@15V
连续漏极电流:3.6A
类型:1个P沟道
导通电阻:75mΩ@3.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN537N
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:465pF@15V
连续漏极电流:6.5A€6.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:23mΩ@6.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC654P
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:298pF@15V
连续漏极电流:3.6A
类型:1个P沟道
导通电阻:75mΩ@3.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6612A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.6nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:560pF@15V
连续漏极电流:8.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:22mΩ@8.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6612A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.6nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:560pF@15V
连续漏极电流:8.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:22mΩ@8.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6690A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:16nC@5V
输入电容:1.205nF@15V
连续漏极电流:11A
类型:1个N沟道
导通电阻:12.5mΩ@10V,11A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN537N
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:465pF@15V
连续漏极电流:6.5A€6.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:23mΩ@6.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC655BN
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
输入电容:570pF@15V
连续漏极电流:6.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:25mΩ@10V,6.3A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6690A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:16nC@5V
输入电容:1.205nF@15V
连续漏极电流:11A
类型:1个N沟道
导通电阻:12.5mΩ@10V,11A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN537N
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:465pF@15V
连续漏极电流:6.5A€6.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:23mΩ@6.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G4953S
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:520pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:2个P沟道
导通电阻:36mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN537N
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:465pF@15V
连续漏极电流:6.5A€6.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:23mΩ@6.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G4953S
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:520pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:2个P沟道
导通电阻:36mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN537N
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:465pF@15V
连续漏极电流:6.5A€6.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:23mΩ@6.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G4953S
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:520pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:2个P沟道
导通电阻:36mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC655BN
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
输入电容:570pF@15V
连续漏极电流:6.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:25mΩ@10V,6.3A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G4953S
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:520pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:2个P沟道
导通电阻:36mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN537N
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:8.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:465pF@15V
连续漏极电流:6.5A€6.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:23mΩ@6.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC655BN
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
输入电容:570pF@15V
连续漏极电流:6.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:25mΩ@10V,6.3A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6612A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.6nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:560pF@15V
连续漏极电流:8.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:22mΩ@8.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6612A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.6nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:560pF@15V
连续漏极电流:8.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:22mΩ@8.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: