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    30V
    栅极电荷
    行业应用: 工业
    工作温度: -55℃~+150℃
    阈值电压: 3V@250μA
    漏源电压: 30V
    栅极电荷: 7nC@5V
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    onsemi Mosfet场效应管 FDN359BN 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN359BN 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:2236

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN359BN

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:650pF@15V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:46mΩ@10V,2.7A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN359BN 起订25个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN359BN 起订25个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:2236

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN359BN

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:650pF@15V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:46mΩ@10V,2.7A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN359BN 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN359BN 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:2236

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN359BN

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:650pF@15V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:46mΩ@10V,2.7A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN359BN 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN359BN 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:2236

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN359BN

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:3V@250μA

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    栅极电荷:7nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:650pF@15V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:46mΩ@10V,2.7A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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