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    ROHM Mosfet场效应管 RS1G300GNTB 起订1个装
    ROHM Mosfet场效应管 RS1G300GNTB 起订1个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS1G300GNTB

    工作温度:150℃

    功率:3W€35W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4230pF@20V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 SH8K26GZ0TB 起订4个装
    ROHM Mosfet场效应管 SH8K26GZ0TB 起订4个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SH8K26GZ0TB

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:280pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:38mΩ@6A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 SH8K26GZ0TB1 起订2个装
    ROHM Mosfet场效应管 SH8K26GZ0TB1 起订2个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SH8K26GZ0TB1

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:280pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:38mΩ@6A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 SH8K26GZ0TB1 起订3个装
    ROHM Mosfet场效应管 SH8K26GZ0TB1 起订3个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SH8K26GZ0TB1

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:280pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:38mΩ@6A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3G100GNTB 起订4个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3G100GNTB 起订4个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ3G100GNTB

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:8.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:615pF@20V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.3mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 N0400P-ZK-E1-AY 起订2个装
    RENESAS Mosfet场效应管 N0400P-ZK-E1-AY 起订2个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):N0400P-ZK-E1-AY

    工作温度:150℃

    功率:1W€25W

    阈值电压:1.5V@1mA

    栅极电荷:16nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@10V

    连续漏极电流:15A

    类型:P沟道

    导通电阻:40mΩ@7.5A,4.5V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 SFT1350-TL-H 起订1106个装
    onsemi Mosfet场效应管 SFT1350-TL-H 起订1106个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":670,"16+":38035,"17+":15323}

    包装规格(MPQ):700psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SFT1350-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:1W€23W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:590pF@20V

    连续漏极电流:19A

    类型:P沟道

    导通电阻:59mΩ@9.5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6J808R,LF 起订3个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6J808R,LF 起订3个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6J808R,LF

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1020pF@10V

    连续漏极电流:7A

    类型:P沟道

    导通电阻:35mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    SANKEN Mosfet场效应管 GKI04048 起订2个装
    SANKEN Mosfet场效应管 GKI04048 起订2个装

    品牌:SANKEN

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GKI04048

    工作温度:150℃

    功率:3.1W€59W

    阈值电压:2.5V@650µA

    栅极电荷:35.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2410pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@35.4A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 SH8K26GZ0TB1 起订2个装
    ROHM Mosfet场效应管 SH8K26GZ0TB1 起订2个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SH8K26GZ0TB1

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:280pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:38mΩ@6A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6J808R,LXHF 起订3个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6J808R,LXHF 起订3个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6J808R,LXHF

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1020pF@10V

    连续漏极电流:7A

    类型:P沟道

    导通电阻:35mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RS1G300GNTB 起订1个装
    ROHM Mosfet场效应管 RS1G300GNTB 起订1个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS1G300GNTB

    工作温度:150℃

    功率:3W€35W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4230pF@20V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 ATP108-TL-H 起订488个装
    onsemi Mosfet场效应管 ATP108-TL-H 起订488个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":1978}

    销售单位:

    规格型号(MPN):ATP108-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:60W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:79.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3850pF@20V

    连续漏极电流:70A

    类型:P沟道

    导通电阻:10.4mΩ@35A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    SANKEN Mosfet场效应管 DKI04103 起订2个装
    SANKEN Mosfet场效应管 DKI04103 起订2个装

    品牌:SANKEN

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DKI04103

    工作温度:150℃

    功率:32W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:14.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:990pF@25V

    连续漏极电流:29A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.5mΩ@18.8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6K514NU,LF 起订9个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6K514NU,LF 起订9个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6K514NU,LF

    工作温度:150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.4V@100µA

    栅极电荷:7.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1110pF@20V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.6mΩ@4A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RD3G01BATTL1 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 RD3G01BATTL1 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3G01BATTL1

    工作温度:150℃

    功率:25W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1030pF@20V

    连续漏极电流:15A

    类型:P沟道

    导通电阻:39mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    SANKEN Mosfet场效应管 SKI04033 起订10个装
    SANKEN Mosfet场效应管 SKI04033 起订10个装

    品牌:SANKEN

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SKI04033

    工作温度:150℃

    功率:116W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:63.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3910pF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.8mΩ@58.5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 SH8K25GZ0TB1 起订4个装
    ROHM Mosfet场效应管 SH8K25GZ0TB1 起订4个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SH8K25GZ0TB1

    工作温度:150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:2.5V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:100pF@10V

    连续漏极电流:5.2A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:85mΩ@5.2A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STL8P4LLF6 起订3000个装
    ST Mosfet场效应管 STL8P4LLF6 起订3000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL8P4LLF6

    工作温度:150℃

    功率:2.9W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:22nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2850pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:P沟道

    导通电阻:20.5mΩ@4A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RS3G160ATTB1 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 RS3G160ATTB1 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS3G160ATTB1

    工作温度:150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:120nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6250pF@20V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:6.2mΩ@16A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 QH8M22TCR 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 QH8M22TCR 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):QH8M22TCR

    工作温度:150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:2.5V@10µA€3V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:193pF@20V€450pF@20V

    连续漏极电流:4.5A€2A

    类型:N和P沟道

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 SH8K25GZ0TB 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 SH8K25GZ0TB 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SH8K25GZ0TB

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:100pF@10V

    连续漏极电流:5.2A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:85mΩ@5.2A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RS1G120MNTB 起订4个装
    ROHM Mosfet场效应管 RS1G120MNTB 起订4个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS1G120MNTB

    工作温度:150℃

    功率:3W€25W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:9.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:570pF@20V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:16.2mΩ@12A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 SH8JB5TB1 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 SH8JB5TB1 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SH8JB5TB1

    工作温度:150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:2.5V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2870pF@20V

    连续漏极电流:8.5A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:15.3mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RD3G01BATTL1 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 RD3G01BATTL1 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3G01BATTL1

    工作温度:150℃

    功率:25W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:19.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1030pF@20V

    连续漏极电流:15A

    类型:P沟道

    导通电阻:39mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPCP8407,LF 起订3个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPCP8407,LF 起订3个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPCP8407,LF

    工作温度:150℃

    功率:690mW

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:505pF@10V€810pF@10V

    连续漏极电流:5A€4A

    类型:N和P沟道

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RD3G07BATTL1 起订1个装
    ROHM Mosfet场效应管 RD3G07BATTL1 起订1个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3G07BATTL1

    工作温度:150℃

    功率:101W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:105nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5550pF@20V

    连续漏极电流:70A

    类型:P沟道

    导通电阻:7.1mΩ@70A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    SANKEN Mosfet场效应管 DKI04103 起订2个装
    SANKEN Mosfet场效应管 DKI04103 起订2个装

    品牌:SANKEN

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DKI04103

    工作温度:150℃

    功率:32W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:14.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:990pF@25V

    连续漏极电流:29A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.5mΩ@18.8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 QH8K22TCR 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 QH8K22TCR 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):QH8K22TCR

    工作温度:150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:2.5V@10µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:195pF@20V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:46mΩ@6.5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 SH8K25GZ0TB1 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 SH8K25GZ0TB1 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SH8K25GZ0TB1

    工作温度:150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:2.5V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:100pF@10V

    连续漏极电流:5.2A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:85mΩ@5.2A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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