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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K217FE，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.1nC@4.2V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：130pF@10V
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
导通电阻：195mΩ@1A，8V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K217FE，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.1nC@4.2V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：130pF@10V
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
导通电阻：195mΩ@1A，8V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6H19NU，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.2nC@4.2V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：130pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：185mΩ@1A，8V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
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输入电容：130pF@10V
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功率：500mW
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输入电容：130pF@10V
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
导通电阻：195mΩ@1A，8V
漏源电压：40V
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功率：500mW
阈值电压：1.2V@1mA
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栅极电荷：1.1nC@4.2V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：130pF@10V
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
导通电阻：195mΩ@1A，8V
漏源电压：40V
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规格型号(MPN)：SSM6K217FE，LF
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功率：500mW
阈值电压：1.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.1nC@4.2V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：130pF@10V
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
导通电阻：195mΩ@1A，8V
漏源电压：40V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SSM6H19NU，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.2nC@4.2V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：130pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：185mΩ@1A，8V
漏源电压：40V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SSM6H19NU，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.2nC@4.2V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：130pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：185mΩ@1A，8V
漏源电压：40V
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规格型号(MPN)：SSM6K217FE，LF
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功率：500mW
阈值电压：1.2V@1mA
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栅极电荷：1.1nC@4.2V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：130pF@10V
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
导通电阻：195mΩ@1A，8V
漏源电压：40V
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功率：500mW
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栅极电荷：1.1nC@4.2V
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输入电容：130pF@10V
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
导通电阻：195mΩ@1A，8V
漏源电压：40V
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规格型号(MPN)：SSM6K217FE，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.1nC@4.2V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：130pF@10V
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
导通电阻：195mΩ@1A，8V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@1mA
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栅极电荷：1.1nC@4.2V
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输入电容：130pF@10V
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
导通电阻：195mΩ@1A，8V
漏源电压：40V
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栅极电荷：1.1nC@4.2V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：130pF@10V
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
导通电阻：195mΩ@1A，8V
漏源电压：40V
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工作温度：150℃
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栅极电荷：2.2nC@4.2V
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输入电容：130pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：185mΩ@1A，8V
漏源电压：40V
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功率：500mW
阈值电压：1.2V@1mA
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栅极电荷：1.1nC@4.2V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：130pF@10V
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
导通电阻：195mΩ@1A，8V
漏源电压：40V
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栅极电荷：1.1nC@4.2V
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输入电容：130pF@10V
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
导通电阻：195mΩ@1A，8V
漏源电压：40V
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功率：1W
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栅极电荷：2.2nC@4.2V
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输入电容：130pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：185mΩ@1A，8V
漏源电压：40V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SSM6K217FE，LF
导通电阻：195mΩ@1A，8V
包装方式：卷带（TR）
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漏源电压：40V
类型：N沟道
输入电容：130pF@10V
连续漏极电流：1.8A
功率：500mW
阈值电压：1.2V@1mA
栅极电荷：1.1nC@4.2V
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：SSM6K217FE，LF
导通电阻：195mΩ@1A，8V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
漏源电压：40V
类型：N沟道
输入电容：130pF@10V
连续漏极电流：1.8A
功率：500mW
阈值电压：1.2V@1mA
栅极电荷：1.1nC@4.2V
ECCN：EAR99
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K217FE，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.1nC@4.2V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：130pF@10V
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
导通电阻：195mΩ@1A，8V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K217FE，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.1nC@4.2V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：130pF@10V
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
导通电阻：195mΩ@1A，8V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6H19NU，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.2nC@4.2V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：130pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：185mΩ@1A，8V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6H19NU，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.2nC@4.2V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：130pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：185mΩ@1A，8V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K217FE，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.1nC@4.2V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：130pF@10V
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
导通电阻：195mΩ@1A，8V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K339R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.1nC@4.2V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：130pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：185mΩ@1A，8V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K339R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.1nC@4.2V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：130pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：185mΩ@1A，8V
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