品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":124}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMZA65R030M1HXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:197W
阈值电压:5.7V@8.8mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@18V
包装方式:管件
输入电容:1643pF@400V
连续漏极电流:53A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@29.5A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMZA65R030M1HXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:197W
阈值电压:5.7V@8.8mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@18V
包装方式:管件
输入电容:1643pF@400V
连续漏极电流:53A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@29.5A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":6574}
包装规格(MPQ):2000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUA170N10S5N031AUMA1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:197W
阈值电压:3.8V
ECCN:EAR99
栅极电荷:67nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:170A
类型:MOSFET
导通电阻:3.1mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):2000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUA170N10S5N031AUMA1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:197W
阈值电压:3.8V
ECCN:EAR99
栅极电荷:67nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:170A
类型:MOSFET
导通电阻:3.1mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):240psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMW65R030M1HXKSA1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:197W
阈值电压:5.7V
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:58A
类型:MOSFET
导通电阻:42mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":6574}
包装规格(MPQ):2000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUA170N10S5N031AUMA1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:197W
阈值电压:3.8V
ECCN:EAR99
栅极电荷:67nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:170A
类型:MOSFET
导通电阻:3.1mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):2000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUA170N10S5N031AUMA1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:197W
阈值电压:3.8V
ECCN:EAR99
栅极电荷:67nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:170A
类型:MOSFET
导通电阻:3.1mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":124}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMZA65R030M1HXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:197W
阈值电压:5.7V@8.8mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@18V
包装方式:管件
输入电容:1643pF@400V
连续漏极电流:53A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@29.5A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFWS0D4N04XMT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:197W
阈值电压:3.5V@330µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:138nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8550pF@25V
连续漏极电流:519A
类型:N沟道
导通电阻:0.42mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":124}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMZA65R030M1HXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:197W
阈值电压:5.7V@8.8mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@18V
包装方式:管件
输入电容:1643pF@400V
连续漏极电流:53A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@29.5A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":124}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMZA65R030M1HXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:197W
阈值电压:5.7V@8.8mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@18V
包装方式:管件
输入电容:1643pF@400V
连续漏极电流:53A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@29.5A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFWS0D4N04XMT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:197W
阈值电压:3.5V@330µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:138nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8550pF@25V
连续漏极电流:519A
类型:N沟道
导通电阻:0.42mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFWS0D4N04XMT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:197W
阈值电压:3.5V@330µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:138nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8550pF@25V
连续漏极电流:519A
类型:N沟道
导通电阻:0.42mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFWS0D4N04XMT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:197W
阈值电压:3.5V@330µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:138nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8550pF@25V
连续漏极电流:519A
类型:N沟道
导通电阻:0.42mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":6574}
包装规格(MPQ):2000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUA170N10S5N031AUMA1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:197W
阈值电压:3.8V
ECCN:EAR99
栅极电荷:67nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:170A
类型:MOSFET
导通电阻:3.1mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:QORVO
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UJ4C075033B7S
工作温度:-55℃~175℃
功率:197W
阈值电压:6V@10mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37.8nC@15V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@400V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:41mΩ@30A,12V
漏源电压:750V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:QORVO
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UJ4C075033B7S
工作温度:-55℃~175℃
功率:197W
阈值电压:6V@10mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37.8nC@15V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@400V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:41mΩ@30A,12V
漏源电压:750V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":124}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMZA65R030M1HXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:197W
阈值电压:5.7V@8.8mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@18V
包装方式:管件
输入电容:1643pF@400V
连续漏极电流:53A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@29.5A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFWS0D4N04XMT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:197W
阈值电压:3.5V@330µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:138nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8550pF@25V
连续漏极电流:519A
类型:N沟道
导通电阻:0.42mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":124}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMZA65R030M1HXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:197W
阈值电压:5.7V@8.8mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@18V
包装方式:管件
输入电容:1643pF@400V
连续漏极电流:53A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@29.5A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":124}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMZA65R030M1HXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:197W
阈值电压:5.7V@8.8mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@18V
包装方式:管件
输入电容:1643pF@400V
连续漏极电流:53A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@29.5A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFWS0D4N04XMT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:197W
阈值电压:3.5V@330µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:138nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8550pF@25V
连续漏极电流:519A
类型:N沟道
导通电阻:0.42mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":124}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMZA65R030M1HXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:197W
阈值电压:5.7V@8.8mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@18V
包装方式:管件
输入电容:1643pF@400V
连续漏极电流:53A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@29.5A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFWS0D4N04XMT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:197W
阈值电压:3.5V@330µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:138nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8550pF@25V
连续漏极电流:519A
类型:N沟道
导通电阻:0.42mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFWS0D4N04XMT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:197W
阈值电压:3.5V@330µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:138nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8550pF@25V
连续漏极电流:519A
类型:N沟道
导通电阻:0.42mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMZA65R030M1HXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:197W
阈值电压:5.7V@8.8mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@18V
包装方式:管件
输入电容:1643pF@400V
连续漏极电流:53A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@29.5A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):2000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUA170N10S5N031AUMA1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:197W
阈值电压:3.8V
ECCN:EAR99
栅极电荷:67nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:170A
类型:MOSFET
导通电阻:3.1mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFWS0D4N04XMT1G
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8550pF@25V
漏源电压:40V
类型:N沟道
导通电阻:0.42mΩ@50A,10V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:3.5V@330µA
栅极电荷:138nC@10V
连续漏极电流:519A
功率:197W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):2000psc
销售单位:个
生产批次:{"21+":6574}
规格型号(MPN):IAUA170N10S5N031AUMA1
栅极电荷:67nC
包装方式:Reel
导通电阻:3.1mΩ
阈值电压:3.8V
连续漏极电流:170A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:197W
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
类型:MOSFET
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFWS0D4N04XMT1G
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8550pF@25V
漏源电压:40V
类型:N沟道
导通电阻:0.42mΩ@50A,10V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:3.5V@330µA
栅极电荷:138nC@10V
连续漏极电流:519A
功率:197W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存: