销售单位：个

规格型号(MPN)：BCV47，215

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：250mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：220MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD122-TP

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：8A

功率：1.5W

集电集截止电流(Icbo)：10nA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@80mA，8A

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4A，4V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"19+"：2990，"20+"：3000，"21+"：2758416，"22+"：88822}

销售单位：个

规格型号(MPN)：BCV27，215

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：250mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：220MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BCV47，235

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：250mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：220MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BCV47，235

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：250mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：220MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"21+"：2000}

销售单位：个

规格型号(MPN)：TIP121TU

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：5A

功率：2W

集电集截止电流(Icbo)：500µA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@20mA，5A

ECCN：EAR99

包装方式：管件

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@3A，3V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BST51，115

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：1A

功率：1.3W

集电集截止电流(Icbo)：50nA

特征频率：200MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.3V@500µA，500mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@500mA，10V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BCV47，215

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：250mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：220MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BCV47，215

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：250mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：220MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BST50，115

集射极击穿电压(Vceo)：45V

集电极电流(Ic)：1A

功率：1.3W

集电集截止电流(Icbo)：50nA

特征频率：200MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.3V@500µA，500mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@500mA，10V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2SD1383KT146B

集射极击穿电压(Vceo)：32V

集电极电流(Ic)：300mA

功率：200mW

集电集截止电流(Icbo)：1µA

特征频率：250MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@400µA，200mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：5000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BST52，115

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：1A

功率：1.3W

集电集截止电流(Icbo)：50nA

特征频率：200MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.3V@500µA，500mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@500mA，10V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：FJB102TM

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：8A

功率：80W

集电集截止电流(Icbo)：50µA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@80mA，8A

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@3A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD122-TP

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：8A

功率：1.5W

集电集截止电流(Icbo)：10nA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@80mA，8A

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4A，4V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"16+"：134000，"21+"：31000}

销售单位：个

规格型号(MPN)：PZTA14H6327XTSA1

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：300mA

功率：1.5W

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：125MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：FJB102TM

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：8A

功率：80W

集电集截止电流(Icbo)：50µA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.5V@80mA，8A

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@3A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2SD1383KT146B

集射极击穿电压(Vceo)：32V

集电极电流(Ic)：300mA

功率：200mW

集电集截止电流(Icbo)：1µA

特征频率：250MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@400µA，200mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：5000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BCV49，135

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：1.3W

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：220MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：SSTA28T116

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：300mA

功率：200mW

集电集截止电流(Icbo)：500nA

特征频率：200MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BST50，115

集射极击穿电压(Vceo)：45V

集电极电流(Ic)：1A

功率：1.3W

集电集截止电流(Icbo)：50nA

特征频率：200MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.3V@500µA，500mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@500mA，10V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2SD1383KT146B

集射极击穿电压(Vceo)：32V

集电极电流(Ic)：300mA

功率：200mW

集电集截止电流(Icbo)：1µA

特征频率：250MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@400µA，200mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：5000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BCV27，215

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：250mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：220MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BST52，135

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：1A

功率：1.3W

集电集截止电流(Icbo)：500nA

特征频率：200MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.3V@500µA，500mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@500mA，10V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BST52，115

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：1A

功率：1.3W

集电集截止电流(Icbo)：50nA

特征频率：200MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.3V@500µA，500mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@500mA，10V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"21+"：33000，"22+"：66000}

销售单位：个

规格型号(MPN)：PZTA14，115

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：1.25W

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：125MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2SD1834T100

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：1A

功率：2W

集电集截止电流(Icbo)：1µA

特征频率：150MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@500µA，500mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@500mA，3V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"22+"：8075，"23+"：184000}

销售单位：个

规格型号(MPN)：BST52，115

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：1A

功率：1.3W

集电集截止电流(Icbo)：50nA

特征频率：200MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.3V@500µA，500mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@500mA，10V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2SD1383KT146B

集射极击穿电压(Vceo)：32V

集电极电流(Ic)：300mA

功率：200mW

集电集截止电流(Icbo)：1µA

特征频率：250MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@400µA，200mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：5000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BD679AS

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：4A

功率：40W

集电集截止电流(Icbo)：500µA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：2.8V@40mA，2A

ECCN：EAR99

包装方式：散装

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@2A，3V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BCV29，115

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：1.3W

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：220MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1