品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"18+":4040}
包装规格(MPQ):70psc
规格型号(MPN):FQU5N60CTU
输入电容:670pF@25V
类型:1个N沟道
功率:2.5W€49W
导通电阻:2.5Ω@10V,1.4A
栅极电荷:19nC@10V
连续漏极电流:2.8A
阈值电压:4V@250μA
包装方式:管件
工作温度:-55℃~+150℃
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86252
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
漏源电压:150V
功率:3.1W€89W
输入电容:985pF@75V
阈值电压:4V@250μA
导通电阻:52mΩ@5A,10V
工作温度:-55℃~+150℃
栅极电荷:16nC@10V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:5A€27A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT86256
连续漏极电流:1.2A€3A
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
导通电阻:695mΩ@10V,1.2A
漏源电压:150V
栅极电荷:2nC@10V
阈值电压:4V@250μA
功率:2.3W€10W
输入电容:73pF@75V
工作温度:-55℃~+150℃
反向传输电容:1pF@75V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86255
阈值电压:4V@250μA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:12.4mΩ@10V,10A
ECCN:EAR99
漏源电压:150V
功率:2.7W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC3612
阈值电压:4V@250μA
功率:35W
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
导通电阻:110mΩ@10V,3.3A
ECCN:EAR99
连续漏极电流:12A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD5N60CTM
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@25V
类型:1个N沟道
功率:2.5W€49W
导通电阻:2.5Ω@10V,1.4A
栅极电荷:19nC@10V
连续漏极电流:2.8A
阈值电压:4V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86255
阈值电压:4V@250μA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:12.4mΩ@10V,10A
ECCN:EAR99
漏源电压:150V
功率:2.7W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"18+":4800,"MI+":197}
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):FQP8N60C
类型:1个N沟道
栅极电荷:36nC@10V
功率:147W
阈值电压:4V@250μA
包装方式:管件
工作温度:-55℃~+150℃
漏源电压:600V
导通电阻:1.2Ω@10V,3.75A
输入电容:1.255nF@25V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:7.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS3590
输入电容:1.18nF@40V
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
漏源电压:80V
导通电阻:39mΩ@6.5A,10V
阈值电压:4V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
栅极电荷:35nC@10V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:6.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD5N60CTM
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@25V
类型:1个N沟道
功率:2.5W€49W
导通电阻:2.5Ω@10V,1.4A
栅极电荷:19nC@10V
连续漏极电流:2.8A
阈值电压:4V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):FDB050AN06A0
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:80nC@10V
类型:1个N沟道
漏源电压:60V
连续漏极电流:18A€80A
功率:245W
阈值电压:4V@250μA
输入电容:3.9nF@25V
导通电阻:5mΩ@10V,80A
工作温度:-55℃~+175℃
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS86106
连续漏极电流:3.4A
栅极电荷:4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
功率:5W
导通电阻:105mΩ@3.4A,10V
阈值电压:4V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
输入电容:208pF@50V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS86106
连续漏极电流:3.4A
栅极电荷:4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
功率:5W
导通电阻:105mΩ@3.4A,10V
阈值电压:4V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
输入电容:208pF@50V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD2N60CTM
阈值电压:4V@250μA
连续漏极电流:1.9A
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
导通电阻:4.7Ω@10V,950mA
功率:2.5W
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS86106
连续漏极电流:3.4A
栅极电荷:4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
功率:5W
导通电阻:105mΩ@3.4A,10V
阈值电压:4V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
输入电容:208pF@50V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT86244
功率:2.2W
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:128mΩ@2.8A,10V
类型:1个N沟道
输入电容:395pF@75V
漏源电压:150V
连续漏极电流:2.8A
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:7nC@10V
工作温度:-55℃~+150℃
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFSC004N08MC
栅极电荷:43.4nC@10V
连续漏极电流:86A€136A
导通电阻:4mΩ@44A,10V
功率:51W€127W
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
漏源电压:80V
阈值电压:4V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
输入电容:2.98nF@40V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS86240
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
栅极电荷:40nC@10V
输入电容:2.57nF@75V
漏源电压:150V
阈值电压:4V@250μA
功率:2.5W€5W
工作温度:-55℃~+150℃
ECCN:EAR99
导通电阻:19.8mΩ@7.5A,10V
连续漏极电流:7.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF10N20C
类型:1个N沟道
栅极电荷:26nC@10V
阈值电压:4V@250μA
包装方式:管件
工作温度:-55℃~+150℃
功率:38W
连续漏极电流:9.5A
输入电容:510pF@25V
ECCN:EAR99
导通电阻:360mΩ@4.75A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD5N60CTM
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@25V
类型:1个N沟道
功率:2.5W€49W
导通电阻:2.5Ω@10V,1.4A
栅极电荷:19nC@10V
连续漏极电流:2.8A
阈值电压:4V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS3590
输入电容:1.18nF@40V
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
漏源电压:80V
导通电阻:39mΩ@6.5A,10V
阈值电压:4V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
栅极电荷:35nC@10V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:6.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86252
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
漏源电压:150V
功率:3.1W€89W
输入电容:985pF@75V
阈值电压:4V@250μA
导通电阻:52mΩ@5A,10V
工作温度:-55℃~+150℃
栅极电荷:16nC@10V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:5A€27A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":701,"22+":3610,"23+":2632}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT86256
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.3W€10W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:73pF@75V
连续漏极电流:1.2A€3A
类型:1个N沟道
反向传输电容:1pF@75V
导通电阻:695mΩ@10V,1.2A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"24+":16000,"MI+":1000}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP10N20C
工作温度:-55℃~+150℃
功率:72W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:9.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:360mΩ@10V,4.75A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD20N06TM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€38W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:590pF@25V
连续漏极电流:16.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:63mΩ@10V,8.4A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF10N20C
工作温度:-55℃~+150℃
功率:38W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:9.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:360mΩ@4.75A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT86256
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.3W€10W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:73pF@75V
连续漏极电流:1.2A€3A
类型:1个N沟道
反向传输电容:1pF@75V
导通电阻:695mΩ@10V,1.2A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":17974}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86101
功率:2.5W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
连续漏极电流:12.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:8mΩ@10V,13A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86255
功率:2.7W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:12.4mΩ@10V,10A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":874,"22+":13717}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT86256
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.3W€10W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:73pF@75V
连续漏极电流:1.2A€3A
类型:1个N沟道
反向传输电容:1pF@75V
导通电阻:695mΩ@10V,1.2A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存: