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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：2000}
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SFT1446-H
工作温度：150℃
功率：1W€23W
阈值电压：2.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：散装
输入电容：750pF@20V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：51mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2017}
销售单位：个
规格型号(MPN)：VEC2415-TL-W
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.6V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：505pF@20V
连续漏极电流：3A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：80mΩ@1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：2292，"18+"：32950，"19+"：2}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVC6S5A354PLZT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.9W
阈值电压：2.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@20V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1975}
销售单位：个
规格型号(MPN)：VEC2415-TL-E
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.6V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：505pF@20V
连续漏极电流：3A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：80mΩ@1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：1600，"16+"：1180}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SJ635-TL-E
功率：1W€30W
阈值电压：2.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
输入电容：2.2nF@20V
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：60mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：17839}
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SFT1342-E
工作温度：150℃
功率：15W
阈值电压：2.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：袋
输入电容：1150pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：62mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：2502}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVATS5A304PLZT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：108W
阈值电压：2.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：250nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13000pF@20V
连续漏极电流：120A
类型：P沟道
导通电阻：6.5mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：2502}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVATS5A304PLZT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：108W
阈值电压：2.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：250nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13000pF@20V
连续漏极电流：120A
类型：P沟道
导通电阻：6.5mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：765，"15+"：150783，"16+"：365000，"21+"：1806，"22+"：2372}
销售单位：个
规格型号(MPN)：VEC2415-TL-E
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.6V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：505pF@20V
连续漏极电流：3A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：80mΩ@1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1975}
销售单位：个
规格型号(MPN)：VEC2415-TL-E
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.6V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：505pF@20V
连续漏极电流：3A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：80mΩ@1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：1600}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDBA170N06AT4H
工作温度：150℃
功率：90W
阈值电压：2.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：280nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15800pF@20V
连续漏极电流：170A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：2502}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVATS5A304PLZT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：108W
阈值电压：2.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：250nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13000pF@20V
连续漏极电流：120A
类型：P沟道
导通电阻：6.5mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：1600，"16+"：1180}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SJ635-TL-E
功率：1W€30W
阈值电压：2.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
输入电容：2.2nF@20V
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：60mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：2502}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVATS5A304PLZT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：108W
阈值电压：2.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：250nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13000pF@20V
连续漏极电流：120A
类型：P沟道
导通电阻：6.5mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：1600}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDBA170N06AT4H
工作温度：150℃
功率：90W
阈值电压：2.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：280nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15800pF@20V
连续漏极电流：170A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：2292，"18+"：32950，"19+"：2}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVC6S5A354PLZT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.9W
阈值电压：2.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@20V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：1600}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDBA170N06AT4H
工作温度：150℃
功率：90W
阈值电压：2.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：280nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15800pF@20V
连续漏极电流：170A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：765，"15+"：150783，"16+"：365000，"21+"：1806，"22+"：2372}
销售单位：个
规格型号(MPN)：VEC2415-TL-E
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.6V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：505pF@20V
连续漏极电流：3A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：80mΩ@1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SFT1342-E
工作温度：150℃
功率：15W
阈值电压：2.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：袋
输入电容：1150pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：62mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"17+"：2292，"18+"：32950，"19+"：2}
规格型号(MPN)：NVC6S5A354PLZT1G
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
阈值电压：2.6V@1mA
栅极电荷：14nC@10V
输入电容：600pF@20V
漏源电压：60V
导通电阻：100mΩ@2A，10V
工作温度：-55℃~175℃
类型：P沟道
功率：1.9W
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"13+"：1600，"16+"：1180}
规格型号(MPN)：2SJ635-TL-E
输入电容：2.2nF@20V
栅极电荷：45nC@10V
功率：1W€30W
阈值电压：2.6V@1mA
连续漏极电流：12A
漏源电压：60V
导通电阻：60mΩ@6A，10V
ECCN：EAR99
类型：1个P沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"17+"：17839}
包装规格(MPQ)：500psc
规格型号(MPN)：SFT1342-E
工作温度：150℃
输入电容：1150pF@20V
功率：15W
阈值电压：2.6V@1mA
连续漏极电流：12A
漏源电压：60V
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：袋
类型：P沟道
导通电阻：62mΩ@6A，10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：17839}
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SFT1342-E
工作温度：150℃
功率：15W
阈值电压：2.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：袋
输入电容：1150pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：62mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：1600，"16+"：1180}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SJ635-TL-E
功率：1W€30W
阈值电压：2.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
输入电容：2.2nF@20V
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：60mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：VEC2415-TL-W
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.6V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：505pF@20V
连续漏极电流：3A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：80mΩ@1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：VEC2415-TL-W
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.6V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：505pF@20V
连续漏极电流：3A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：80mΩ@1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：2502}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVATS5A304PLZT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：108W
阈值电压：2.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：250nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13000pF@20V
连续漏极电流：120A
类型：P沟道
导通电阻：6.5mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：1600}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDBA170N06AT4H
工作温度：150℃
功率：90W
阈值电压：2.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：280nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15800pF@20V
连续漏极电流：170A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：2000}
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SFT1446-H
工作温度：150℃
功率：1W€23W
阈值电压：2.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：散装
输入电容：750pF@20V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：51mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：1600}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDBA170N06AT4H
工作温度：150℃
功率：90W
阈值电压：2.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：280nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15800pF@20V
连续漏极电流：170A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
