采购热线 400-661-9010
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFP6N120P
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：92nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2830pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：2.4Ω@500mA，10V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT13F120B
工作温度：-55℃~150℃
功率：625W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：145nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4765pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@7A，10V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT13F120B
工作温度：-55℃~150℃
功率：625W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：145nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4765pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@7A，10V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT7M120B
工作温度：-55℃~150℃
功率：335W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2565pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@3A，10V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT1201R2BFLLG
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2540pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：1.25Ω@6A，10V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFP6N120P
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：92nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2830pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：2.4Ω@500mA，10V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT1201R2BFLLG
栅极电荷：100nC@10V
类型：N沟道
连续漏极电流：12A
漏源电压：1200V
输入电容：2540pF@25V
导通电阻：1.25Ω@6A，10V
包装方式：管件
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT13F120B
工作温度：-55℃~150℃
功率：625W
栅极电荷：145nC@10V
类型：N沟道
漏源电压：1200V
导通电阻：1.4Ω@7A，10V
包装方式：管件
连续漏极电流：14A
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
输入电容：4765pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT13F120B
工作温度：-55℃~150℃
功率：625W
栅极电荷：145nC@10V
类型：N沟道
漏源电压：1200V
导通电阻：1.4Ω@7A，10V
包装方式：管件
连续漏极电流：14A
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
输入电容：4765pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT1201R2BLLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：400W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3100pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@6A，10V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT1201R2BFLLG
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2540pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：1.25Ω@6A，10V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TW140N120C，S1F
工作温度：175℃
功率：107W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@18V
包装方式：管件
输入电容：691pF@800V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：182mΩ@10A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT7M120B
工作温度：-55℃~150℃
功率：335W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2565pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@3A，10V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFP6N120P
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：92nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2830pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：2.4Ω@500mA，10V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TW140N120C，S1F
工作温度：175℃
功率：107W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@18V
包装方式：管件
输入电容：691pF@800V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：182mΩ@10A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFP6N120P
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：92nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2830pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：2.4Ω@500mA，10V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
