品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":6}
包装规格(MPQ):15psc
销售单位:个
规格型号(MPN):F411MR12W2M1B76BOMA1
工作温度:-40℃~150℃
阈值电压:5.55V@40mA
ECCN:EAR99
包装方式:托盘
输入电容:7360pF@800V
连续漏极电流:100A
类型:4N沟道(全桥)
导通电阻:11.3mΩ@100A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMZ120R090M1HXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:5.7V@3.7mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@18V
包装方式:管件
输入电容:707pF@800V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:117mΩ@8.5A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AIMBG120R040M1XTMA1
工作温度:-55℃~175℃
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:48A
类型:N沟道
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R12MT12K
工作温度:-55℃~175℃
功率:567W
阈值电压:2.7V@50mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:288nC@15V
包装方式:管件
输入电容:9335pF@800V
连续漏极电流:157A
类型:N沟道
导通电阻:13mΩ@100A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AIMBG120R040M1XTMA1
工作温度:-55℃~175℃
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:48A
类型:N沟道
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMZ120R060M1HXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:5.7V@5.6mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@18V
包装方式:管件
输入电容:1060pF@800V
连续漏极电流:36A
类型:N沟道
导通电阻:78mΩ@13A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Wolfspeed
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):C3M0350120J-TR
工作温度:-55℃~150℃
功率:40.8W
阈值电压:3.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@15V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:345pF@1000V
连续漏极电流:7.2A
类型:N沟道
导通电阻:455mΩ@3.6A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Wolfspeed
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):C3M0021120K
工作温度:-40℃~175℃
功率:469W
ECCN:EAR99
栅极电荷:162nC@15V
包装方式:管件
输入电容:4818pF@1000V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Wolfspeed
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):18psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CAB008A12GM3
工作温度:-40℃~150℃
阈值电压:3.6V@46mA
ECCN:EAR99
包装方式:托盘
输入电容:13600pF@800V
连续漏极电流:182A
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:10.4mΩ@150A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IMBG120R090M1HXTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:5.7V@3.7mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:763pF@800V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@8.5A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":3}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMZA120R007M1HXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:750W
阈值电压:5.2V@47mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:220nC@18V
包装方式:管件
输入电容:9170nF@25V
连续漏极电流:225A
类型:N沟道
导通电阻:9.9mΩ@108A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMZA120R014M1HXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:455W
阈值电压:5.2V@23.4mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@18V
包装方式:管件
输入电容:4580nF@25V
连续漏极电流:127A
类型:N沟道
导通电阻:18.4mΩ@54.3A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTH4L020N120SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:510W
阈值电压:4.3V@20mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:220nC@20V
包装方式:管件
输入电容:2943pF@800V
连续漏极电流:102A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@60A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IMBG120R045M1HXTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:227W
阈值电压:5.7V@7.5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1527pF@800V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:63mΩ@16A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMW120R140M1HXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:94W
阈值电压:5.7V@2.5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@18V
包装方式:管件
输入电容:454pF@800V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:182mΩ@6A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVHL080N120SC1A
工作温度:-55℃~175℃
功率:178W
阈值电压:4.3V@5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@20V
包装方式:管件
输入电容:1670pF@800V
连续漏极电流:31A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@20A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AIMW120R045M1XKSA1
工作温度:-40℃~175℃
功率:228W
阈值电压:5.7V@10mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:57nC@15V
包装方式:管件
输入电容:2130pF@800V
连续漏极电流:52A
类型:N沟道
导通电阻:59mΩ@20A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):8psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FF2MR12KM1HPHPSA1
工作温度:-40℃~150℃
阈值电压:5.15V@224mA
ECCN:EAR99
包装方式:托盘
输入电容:39700pF@800V
连续漏极电流:500A
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:2.13mΩ@500A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":240,"21+":5040,"22+":15600}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMZ120R350M1HXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:60W
阈值电压:5.7V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.3nC@18V
包装方式:管件
输入电容:182pF@800V
连续漏极电流:4.7A
类型:N沟道
导通电阻:350mΩ@2A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IMBG120R220M1HXTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:5.7V@1.6mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.4nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:312pF@800V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:294mΩ@4A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT3040KLHRC11
工作温度:175℃
功率:262W
阈值电压:5.6V@10mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:107nC@18V
包装方式:管件
输入电容:1337pF@800V
连续漏极电流:55A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@20A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IMBG120R220M1HXTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:5.7V@1.6mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.4nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:312pF@800V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:294mΩ@4A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Wolfspeed
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):18psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CAB008M12GM3
工作温度:-40℃~150℃
阈值电压:3.6V@46mA
ECCN:EAR99
包装方式:托盘
输入电容:13600pF@800V
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:10.4mΩ@150A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":40}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTH4L020N120SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:510W
阈值电压:4.3V@20mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:220nC@20V
包装方式:管件
输入电容:2943pF@800V
连续漏极电流:102A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@60A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IMBG120R045M1HXTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:227W
阈值电压:5.7V@7.5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1527pF@800V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:63mΩ@16A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AIMBG120R040M1XTMA1
工作温度:-55℃~175℃
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:48A
类型:N沟道
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT3080KRC14
工作温度:175℃
功率:165W
阈值电压:5.6V@5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@18V
包装方式:管件
输入电容:785pF@800V
连续漏极电流:31A
类型:N沟道
导通电阻:104mΩ@10A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):10psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R20MT12N
工作温度:-55℃~175℃
功率:365W
阈值电压:2.69V@15mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:219nC@15V
包装方式:管件
输入电容:5873pF@800V
连续漏极电流:105A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@60A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTBG040N120SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:357W
ECCN:EAR99
栅极电荷:106nC@20V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1789pF@800V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@35A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTH4L022N120M3S
工作温度:-55℃~175℃
功率:352W
阈值电压:4.4V@20mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:151nC@18V
包装方式:管件
输入电容:3175pF@800V
连续漏极电流:68A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@40A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存: