采购热线 400-661-9010
品牌：GeneSiC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：G3R12MT12K
工作温度：-55℃~175℃
功率：567W
阈值电压：2.7V@50mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：288nC@15V
包装方式：管件
输入电容：9335pF@800V
连续漏极电流：157A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@100A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMZ120R060M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：5.7V@5.6mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1060pF@800V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：78mΩ@13A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Wolfspeed
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：C3M0021120K
工作温度：-40℃~175℃
功率：469W
ECCN：EAR99
栅极电荷：162nC@15V
包装方式：管件
输入电容：4818pF@1000V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：3}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMZA120R007M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：750W
阈值电压：5.2V@47mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：220nC@18V
包装方式：管件
输入电容：9170nF@25V
连续漏极电流：225A
类型：N沟道
导通电阻：9.9mΩ@108A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMZA120R014M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：455W
阈值电压：5.2V@23.4mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@18V
包装方式：管件
输入电容：4580nF@25V
连续漏极电流：127A
类型：N沟道
导通电阻：18.4mΩ@54.3A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4L020N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：510W
阈值电压：4.3V@20mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：220nC@20V
包装方式：管件
输入电容：2943pF@800V
连续漏极电流：102A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@60A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMW120R140M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：94W
阈值电压：5.7V@2.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@18V
包装方式：管件
输入电容：454pF@800V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：182mΩ@6A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVHL080N120SC1A
工作温度：-55℃~175℃
功率：178W
阈值电压：4.3V@5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@20V
包装方式：管件
输入电容：1670pF@800V
连续漏极电流：31A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AIMW120R045M1XKSA1
工作温度：-40℃~175℃
功率：228W
阈值电压：5.7V@10mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@15V
包装方式：管件
输入电容：2130pF@800V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：59mΩ@20A，15V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：240，"21+"：5040，"22+"：15600}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMZ120R350M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：60W
阈值电压：5.7V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.3nC@18V
包装方式：管件
输入电容：182pF@800V
连续漏极电流：4.7A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@2A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT3040KLHRC11
工作温度：175℃
功率：262W
阈值电压：5.6V@10mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：107nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1337pF@800V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@20A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：40}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4L020N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：510W
阈值电压：4.3V@20mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：220nC@20V
包装方式：管件
输入电容：2943pF@800V
连续漏极电流：102A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@60A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT3080KRC14
工作温度：175℃
功率：165W
阈值电压：5.6V@5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@18V
包装方式：管件
输入电容：785pF@800V
连续漏极电流：31A
类型：N沟道
导通电阻：104mΩ@10A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GeneSiC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：10psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：G3R20MT12N
工作温度：-55℃~175℃
功率：365W
阈值电压：2.69V@15mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：219nC@15V
包装方式：管件
输入电容：5873pF@800V
连续漏极电流：105A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@60A，15V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4L022N120M3S
工作温度：-55℃~175℃
功率：352W
阈值电压：4.4V@20mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：151nC@18V
包装方式：管件
输入电容：3175pF@800V
连续漏极电流：68A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@40A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：QORVO
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UF3SC120016K4S
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：517W（Tc）
阈值电压：6V @ 10mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：218 nC @ 15 V
包装方式：管件
输入电容：7824 pF @ 800 V
连续漏极电流：107A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：21毫欧 @ 50A，12V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Wolfspeed
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：C3M0040120K
工作温度：-40℃~175℃
功率：326W
阈值电压：3.6V@9.2mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：99nC@15V
包装方式：管件
输入电容：2900pF@1000V
连续漏极电流：66A
类型：N沟道
导通电阻：53.5mΩ@33.3A，15V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：12150}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4L040N120M3S
工作温度：-55℃~175℃
功率：231W
阈值电压：4.4V@10mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1700pF@800V
连续漏极电流：54A
类型：N沟道
导通电阻：54mΩ@20A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC025SMA120B
工作温度：-55℃~175℃
功率：500W
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：232nC@20V
包装方式：管件
输入电容：3020pF@1000V
连续漏极电流：103A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@40A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT2080KEGC11
工作温度：175℃
功率：262W
阈值电压：4V@4.4mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：106nC@18V
包装方式：管件
输入电容：2080pF@800V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：117mΩ@10A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMW120R014M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：455W
阈值电压：5.2V@23.4mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@18V
包装方式：管件
输入电容：4580nF@25V
连续漏极电流：127A
类型：N沟道
导通电阻：18.4mΩ@54.3A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：329}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVH4L022N120M3S
工作温度：-55℃~175℃
功率：352W
阈值电压：4.4V@20mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：151nC@18V
包装方式：管件
输入电容：3175pF@800V
连续漏极电流：68A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@40A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GeneSiC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：G3R160MT12D
工作温度：-55℃~175℃
功率：123W
阈值电压：2.69V@5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@15V
包装方式：管件
输入电容：730pF@800V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：192mΩ@10A，15V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC080SMA120B4
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@20V
包装方式：管件
输入电容：838pF@1000V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@15A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMZ120R030M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：227W
阈值电压：5.7V@10mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@18V
包装方式：管件
输入电容：2120pF@800V
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@25A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL080N120SC1A
工作温度：-55℃~175℃
功率：178W
阈值电压：4.3V@5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@20V
包装方式：管件
输入电容：1670pF@800V
连续漏极电流：31A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMW120R220M1HXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：5.7V@1.6mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.5nC@18V
包装方式：管件
输入电容：289pF@800V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：286mΩ@4A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT3080KLHRC11
工作温度：175℃
功率：165W
阈值电压：5.6V@5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@18V
包装方式：管件
输入电容：785pF@800V
连续漏极电流：31A
类型：N沟道
导通电阻：104mΩ@10A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVH4L040N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：319W
ECCN：EAR99
栅极电荷：106nC@20V
包装方式：管件
输入电容：1762pF@800V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@35A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Wolfspeed
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：C3M0075120K-A
工作温度：-40℃~175℃
功率：136W
阈值电压：3.6V@5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@15V
包装方式：管件
输入电容：1390pF@1000V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@20A，15V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
