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品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：270000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2650T1E-E2-AT
功率：1.1W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.9nC@4.5V
输入电容：220pF@10V
连续漏极电流：3.8A
类型：2个N沟道
导通电阻：65mΩ@3A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZF5300DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：56.8W€4.5W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.48nF@15V
连续漏极电流：125A€35A
类型：2个N沟道
导通电阻：2.43mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZF5300DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：56.8W€4.5W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.48nF@15V
连续漏极电流：125A€35A
类型：2个N沟道
导通电阻：2.43mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIZF5302DT-T1-RE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：48.1W€3.8W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.03nF@15V
连续漏极电流：28.1A€100A
类型：2个N沟道
导通电阻：3.2mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIZF5300DT-T1-GE3
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功率：56.8W€4.5W
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包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：125A€35A
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导通电阻：2.43mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：SIZF5302DT-T1-RE3
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栅极电荷：22.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.03nF@15V
连续漏极电流：28.1A€100A
类型：2个N沟道
导通电阻：3.2mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：SIZF5302DT-T1-RE3
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导通电阻：3.2mΩ@10A，10V
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导通电阻：3.2mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIZF5302DT-T1-RE3
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导通电阻：3.2mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
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功率：56.8W€4.5W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
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连续漏极电流：125A€35A
类型：2个N沟道
导通电阻：2.43mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIZF5300DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：56.8W€4.5W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.48nF@15V
连续漏极电流：125A€35A
类型：2个N沟道
导通电阻：2.43mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIZF5300DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：56.8W€4.5W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.48nF@15V
连续漏极电流：125A€35A
类型：2个N沟道
导通电阻：2.43mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIZF5302DT-T1-RE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：48.1W€3.8W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.03nF@15V
连续漏极电流：28.1A€100A
类型：2个N沟道
导通电阻：3.2mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：270000}
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规格型号(MPN)：UPA2650T1E-E2-AT
功率：1.1W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.9nC@4.5V
输入电容：220pF@10V
连续漏极电流：3.8A
类型：2个N沟道
导通电阻：65mΩ@3A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIZF5300DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：56.8W€4.5W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.48nF@15V
连续漏极电流：125A€35A
类型：2个N沟道
导通电阻：2.43mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZF5300DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：56.8W€4.5W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.48nF@15V
连续漏极电流：125A€35A
类型：2个N沟道
导通电阻：2.43mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：270000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2650T1E-E2-AT
功率：1.1W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.9nC@4.5V
输入电容：220pF@10V
连续漏极电流：3.8A
类型：2个N沟道
导通电阻：65mΩ@3A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZF5300DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：56.8W€4.5W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.48nF@15V
连续漏极电流：125A€35A
类型：2个N沟道
导通电阻：2.43mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZF5302DT-T1-RE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：48.1W€3.8W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.03nF@15V
连续漏极电流：28.1A€100A
类型：2个N沟道
导通电阻：3.2mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZF5302DT-T1-RE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：48.1W€3.8W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.03nF@15V
连续漏极电流：28.1A€100A
类型：2个N沟道
导通电阻：3.2mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZF5302DT-T1-RE3
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：28.1A€100A
漏源电压：30V
输入电容：1.03nF@15V
导通电阻：3.2mΩ@10A，10V
栅极电荷：22.2nC@10V
类型：2个N沟道
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
功率：48.1W€3.8W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZF5302DT-T1-RE3
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：28.1A€100A
漏源电压：30V
输入电容：1.03nF@15V
导通电阻：3.2mΩ@10A，10V
栅极电荷：22.2nC@10V
类型：2个N沟道
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
功率：48.1W€3.8W
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZF5300DT-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
导通电阻：2.43mΩ@10A，10V
连续漏极电流：125A€35A
输入电容：1.48nF@15V
类型：2个N沟道
工作温度：-55℃~+150℃
栅极电荷：32nC@10V
功率：56.8W€4.5W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZF5302DT-T1-RE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：48.1W€3.8W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.03nF@15V
连续漏极电流：28.1A€100A
类型：2个N沟道
导通电阻：3.2mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZF5300DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：56.8W€4.5W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.48nF@15V
连续漏极电流：125A€35A
类型：2个N沟道
导通电阻：2.43mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZF5302DT-T1-RE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：48.1W€3.8W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.03nF@15V
连续漏极电流：28.1A€100A
类型：2个N沟道
导通电阻：3.2mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZF5302DT-T1-RE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：48.1W€3.8W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.03nF@15V
连续漏极电流：28.1A€100A
类型：2个N沟道
导通电阻：3.2mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZF5302DT-T1-RE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：48.1W€3.8W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.03nF@15V
连续漏极电流：28.1A€100A
类型：2个N沟道
导通电阻：3.2mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC0993NDATMA1
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：17A
类型：2个N沟道
导通电阻：5mΩ@7A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002DW-TP
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：60V
功率：200mW
输入电容：50pF@25V
类型：2个N沟道
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
连续漏极电流：115mA
导通电阻：3.75Ω@10V，500mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
