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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM14N956L，EFF
工作温度：150℃
功率：1.33W
阈值电压：1.4V@1.57mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：20A
类型：2个N沟道
导通电阻：1.35mΩ@10A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EFC4612R-S-TR
工作温度：150℃
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
类型：2个N沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：213000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0230DPA-00#J5A
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.7nC@4.5V
输入电容：1.65nF@10V
连续漏极电流：20A€50A
类型：2个N沟道
导通电阻：7mΩ@10A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7303TRPBFXTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：520pF@25V
连续漏极电流：4.9A
类型：2个N沟道
导通电阻：50mΩ@2.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7303TRPBFXTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：520pF@25V
连续漏极电流：4.9A
类型：2个N沟道
导通电阻：50mΩ@2.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：730000，"17+"：124000，"19+"：205000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：EFC6605R-V-TR
工作温度：150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10A
类型：2个N沟道
导通电阻：13.3mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EFC4612R-S-TR
工作温度：150℃
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
类型：2个N沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：270000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2650T1E-E2-AT
功率：1.1W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.9nC@4.5V
输入电容：220pF@10V
连续漏极电流：3.8A
类型：2个N沟道
导通电阻：65mΩ@3A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7103TRPBFXTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：2个N沟道
导通电阻：130mΩ@3A，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Macom
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：10psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MRF141G
功率：300W
ECCN：EAR99
包装方式：托盘
类型：2个N沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：60000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：EFC4612R-S-TR
工作温度：150℃
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
类型：2个N沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QH8KC5TCR
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：135pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：2个N沟道
导通电阻：90mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：1986}
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA1759G-E1-AT
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
输入电容：190pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：2个N沟道
导通电阻：150mΩ@2.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002BKSH
工作温度：150℃
功率：295mW€1.04W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：2个N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AMPLEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：C4H10P600AY
功率：600W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
类型：2个N沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：3981}
包装规格(MPQ)：361psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HAT2218R-EL-E
功率：1.5W
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.6nC@4.5V
包装方式：散装
输入电容：630pF@10V
连续漏极电流：8A€7.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：24mΩ@3.75A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：3000，"16+"：69000}
包装规格(MPQ)：235psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0216DPA-00#J53
功率：20W€10W
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.2nC@4.5V
包装方式：散装
输入电容：1.13nF@10V
连续漏极电流：15A€32A
类型：2个N沟道
导通电阻：9.2mΩ@7.5A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZF5300DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：56.8W€4.5W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.48nF@15V
连续漏极电流：125A€35A
类型：2个N沟道
导通电阻：2.43mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZF5300DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：56.8W€4.5W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.48nF@15V
连续漏极电流：125A€35A
类型：2个N沟道
导通电阻：2.43mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QH8KC5TCR
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：135pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：2个N沟道
导通电阻：90mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：UT6KB5TCR
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@20V
连续漏极电流：5A
类型：2个N沟道
导通电阻：48mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G130N06S2
阈值电压：2.5V
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：9A
类型：2个N沟道
导通电阻：12.5mΩ@10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM14N956L，EFF
工作温度：150℃
功率：1.33W
阈值电压：1.4V@1.57mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：20A
类型：2个N沟道
导通电阻：1.35mΩ@10A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：730000，"17+"：124000，"19+"：205000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：EFC6605R-V-TR
工作温度：150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10A
类型：2个N沟道
导通电阻：13.3mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2371T1P-E1-A
ECCN：EAR99
连续漏极电流：6A
类型：2个N沟道
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G33N03D3
功率：20W
阈值电压：1.1V@250μA
ECCN：EAR99
连续漏极电流：33A
类型：2个N沟道
导通电阻：9mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFD016N06CT1G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：36W
阈值电压：4V@25μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：489pF@30V
连续漏极电流：32A
类型：2个N沟道
反向传输电容：5.7pF@30V
导通电阻：13.6mΩ@10V，5A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM14N956L，EFF
工作温度：150℃
功率：1.33W
阈值电压：1.4V@1.57mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：20A
类型：2个N沟道
导通电阻：1.35mΩ@10A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：5744}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFD016N06CT1G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：36W
阈值电压：4V@25μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：489pF@30V
连续漏极电流：32A
类型：2个N沟道
反向传输电容：5.7pF@30V
导通电阻：13.6mΩ@10V，5A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJX8808_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：900mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：67pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：2个N沟道
导通电阻：400mΩ@4.5V，500mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
