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    ECCN: EAR99
    阈值电压: 1.2V@250µA
    当前匹配商品:1200+
    商品信息
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    onsemi Mosfet场效应管 NTJS4151PT1G 起订1575个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTJS4151PT1G 起订1575个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":4455,"20+":1633}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTJS4151PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:850pF@10V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:60mΩ@3.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2066LSS-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2066LSS-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2066LSS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:820pF@15V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:40mΩ@5.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTJD4152PT2G 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTJD4152PT2G 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTJD4152PT2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:272mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:155pF@20V

    连续漏极电流:880mA

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:260mΩ@880mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2047UCB4-7 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2047UCB4-7 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2047UCB4-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:218pF@10V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:47mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7425TRPBF 起订4000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7425TRPBF 起订4000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7425TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:130nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7980pF@15V

    连续漏极电流:15A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.2mΩ@15A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2009USS-13 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2009USS-13 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2009USS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1706pF@10V

    连续漏极电流:12.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@12A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSO201SPHXUMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSO201SPHXUMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSO201SPHXUMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:88nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9600pF@15V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:8mΩ@14.9A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2009LSS-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2009LSS-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2009LSS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:58.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2555pF@10V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@12A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTHD4P02FT1G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTHD4P02FT1G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHD4P02FT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@10V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:155mΩ@2.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTJD4152PT2G 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTJD4152PT2G 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTJD4152PT2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:272mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:155pF@20V

    连续漏极电流:880mA

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:260mΩ@880mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3415_R1_00001 起订11个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3415_R1_00001 起订11个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3415_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:756pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:57mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7407_R1_00001 起订8个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7407_R1_00001 起订8个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJC7407_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:416pF@10V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:125mΩ@1.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTQD6968NR2 起订1781个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTQD6968NR2 起订1781个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"06+":6000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTQD6968NR2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.39W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:630pF@16V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:22mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD87333Q3DT 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD87333Q3DT 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD87333Q3DT

    工作温度:125℃

    功率:6W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:662pF@15V

    连续漏极电流:15A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    导通电阻:14.3mΩ@4A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2009LSS-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2009LSS-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2009LSS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:58.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2555pF@10V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@12A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS447DN-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS447DN-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS447DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:52W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:181nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5590pF@10V

    连续漏极电流:18A

    类型:P沟道

    导通电阻:7.1mΩ@20A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2009USS-13 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2009USS-13 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2009USS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1706pF@10V

    连续漏极电流:12.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@12A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2010UFG-7 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2010UFG-7 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2010UFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:103nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3350pF@10V

    连续漏极电流:12.7A€42A

    类型:P沟道

    导通电阻:9.5mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7400_R1_00001 起订3000个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7400_R1_00001 起订3000个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJC7400_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:447pF@15V

    连续漏极电流:1.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@1.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTHD3100CT1G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTHD3100CT1G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHD3100CT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:165pF@10V

    连续漏极电流:2.9A€3.2A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:80mΩ@2.9A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2010UFG-7 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2010UFG-7 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2010UFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:103nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3350pF@10V

    连续漏极电流:12.7A€42A

    类型:P沟道

    导通电阻:9.5mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTA4151PT1H 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTA4151PT1H 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":8950,"22+":33000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTA4151PT1H

    功率:301mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:156pF@5V

    连续漏极电流:760mA

    类型:P沟道

    导通电阻:360mΩ@350mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2009LSS-13 起订2500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2009LSS-13 起订2500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2009LSS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:58.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2555pF@10V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@12A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3420U-7 起订8个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3420U-7 起订8个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG3420U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:740mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:434.7pF@10V

    连续漏极电流:5.47A

    类型:N沟道

    导通电阻:29mΩ@6A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2005UFG-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2005UFG-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2005UFG-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.05W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:164nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6495pF@10V

    连续漏极电流:18.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.6mΩ@13.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTA4151PT1H 起订6个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTA4151PT1H 起订6个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTA4151PT1H

    功率:301mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:156pF@5V

    连续漏极电流:760mA

    类型:P沟道

    导通电阻:360mΩ@350mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD85301Q2T 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD85301Q2T 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD85301Q2T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:469pF@10V

    连续漏极电流:5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:27mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN25D0UFA-7B 起订7个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN25D0UFA-7B 起订7个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN25D0UFA-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:280mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.36nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:27.9pF@10V

    连续漏极电流:240mA

    类型:N沟道

    导通电阻:4Ω@400mA,4.5V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJS6601-AU_S1_000A1 起订100个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJS6601-AU_S1_000A1 起订100个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJS6601-AU_S1_000A1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@10V€416pF@10V

    连续漏极电流:4.1A€3.1A

    类型:N和P沟道互补型

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML2502TRPBF 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLML2502TRPBF 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":2031,"23+":9000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLML2502TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:740pF@15V

    连续漏极电流:4.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@4.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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