品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2009USS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1706pF@10V
连续漏极电流:12.1A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@12A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2009LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:58.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2555pF@10V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@12A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2009LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:58.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2555pF@10V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@12A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2009USS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1706pF@10V
连续漏极电流:12.1A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@12A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJC7400_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:447pF@15V
连续漏极电流:1.9A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@1.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2009LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:58.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2555pF@10V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@12A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3420U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:434.7pF@10V
连续漏极电流:5.47A
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@6A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2005UFG-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.05W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:164nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6495pF@10V
连续漏极电流:18.1A
类型:N沟道
导通电阻:4.6mΩ@13.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN25D0UFA-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:280mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.36nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:27.9pF@10V
连续漏极电流:240mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@400mA,4.5V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":2031,"23+":9000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLML2502TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:740pF@15V
连续漏极电流:4.2A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJC7400_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:447pF@15V
连续漏极电流:1.9A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@1.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLML2502TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:740pF@15V
连续漏极电流:4.2A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17318Q2T
工作温度:-55℃~150℃
功率:16W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:879pF@15V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:15.1mΩ@8A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD13385F5T
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:674pF@6V
连续漏极电流:4.3A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@900mA,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3420U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:434.7pF@10V
连续漏极电流:5.47A
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@6A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3420U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:434.7pF@10V
连续漏极电流:5.47A
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@6A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17382F4T
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:347pF@15V
连续漏极电流:2.3A
类型:N沟道
导通电阻:64mΩ@500mA,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2058UW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:281pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@3A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD13303W1015
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.65W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:715pF@6V
连续漏极电流:31A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2009LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:58.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2555pF@10V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@12A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2005UFG-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.05W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:164nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6495pF@10V
连续漏极电流:18.1A
类型:N沟道
导通电阻:4.6mΩ@13.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLMS2002TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1310pF@15V
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@6.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLML2502TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:740pF@15V
连续漏极电流:4.2A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2058UW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:281pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@3A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN32D2LFB4-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:39pF@3V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@100mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON7524
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€32W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2250pF@15V
连续漏极电流:25A€28A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTK3134NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:310mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:120pF@16V
连续漏极电流:750mA
类型:N沟道
导通电阻:350mΩ@890mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN32D2LFB4-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:39pF@3V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@100mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4501NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:200pF@10V
连续漏极电流:3.2A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON2408
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:782pF@10V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:14.5mΩ@8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: