采购热线 400-661-9010
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN230ENEAX
工作温度：-55℃~175℃
功率：625mW€5.4W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@30V
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
导通电阻：222mΩ@1.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS3604S
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1785pF@15V
连续漏极电流：13A€23A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：8mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMT560ENEAX
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：112pF@50V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：715mΩ@1.1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK6D125-60EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W€15W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：196pF@30V
连续漏极电流：2.7A€7.4A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@2.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN20ENAX
工作温度：-55℃~175℃
功率：652mW€7.5W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：582pF@20V
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@6.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS3660S
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1765pF@15V
连续漏极电流：30A€60A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：8mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK6D210-60EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W€15W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@30V
连续漏极电流：2.1A€5.7A
类型：N沟道
导通电阻：210mΩ@2.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV37ENEAR
工作温度：-55℃~175℃
功率：710mW€8.3W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@30V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：49mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF2910L
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.1W€27W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1190pF@50V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB215ENEAX
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W€15.6W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：215pF@40V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：230mΩ@1.9A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV37ENEAR
工作温度：-55℃~175℃
功率：710mW€8.3W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@30V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：49mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS3660S
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1765pF@15V
连续漏极电流：30A€60A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：8mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV88ENEAR
工作温度：-55℃~175℃
功率：615mW€7.5W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：196pF@30V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：117mΩ@2.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV120ENEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：513mW€6.4W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：275pF@30V
连续漏极电流：2.1A
类型：N沟道
导通电阻：123mΩ@2.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS3669S
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1605pF@15V
连续漏极电流：13A€18A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：10mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：192000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK6D81-80EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W€18.8W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：504pF@40V
连续漏极电流：3.2A€9.8A
类型：N沟道
导通电阻：81mΩ@3.2A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK6D385-100EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W€15W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@50V
连续漏极电流：1.4A€3.7A
类型：N沟道
导通电阻：385mΩ@1.5，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR688DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€83W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3105pF@30V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK6D43-40PX
工作温度：-55℃~175℃
功率：15W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1260pF@20V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：43mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN20ENAX
工作温度：-55℃~175℃
功率：652mW€7.5W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：582pF@20V
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@6.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：9000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS3606S
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1785pF@15V
连续漏极电流：13A€27A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：8mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMT280ENEAX
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@50V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：385mΩ@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：180000，"22+"：186000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB85ENEAX
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W€15.6W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：305pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：95mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSS62934
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@50V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS7650DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W€125W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：206nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14765pF@15V
连续漏极电流：47A€100A
类型：N沟道
导通电阻：0.99mΩ@36A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS3669S
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1605pF@15V
连续漏极电流：13A€18A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：10mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS3669S
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1605pF@15V
连续漏极电流：13A€18A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：10mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV230ENEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW€1.45W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：177pF@30V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：222mΩ@1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK6D210-60EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W€15W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@30V
连续漏极电流：2.1A€5.7A
类型：N沟道
导通电阻：210mΩ@2.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS7650DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W€125W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：206nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14765pF@15V
连续漏极电流：47A€100A
类型：N沟道
导通电阻：0.99mΩ@36A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
