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    ECCN: EAR99
    阈值电压: 1V@250µA
    漏源电压: 20V
    连续漏极电流: 4A
    当前匹配商品:60+
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    UMW Mosfet场效应管 AO3415A
    UMW Mosfet场效应管 AO3415A

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3415A

    工作温度:150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1450pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:36mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    UMW Mosfet场效应管 AO3415A
    UMW Mosfet场效应管 AO3415A

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3415A

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    功率:350mW

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    库存:

    - +
    起购:10
    UMW Mosfet场效应管 AO3415A
    UMW Mosfet场效应管 AO3415A

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3415A

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    库存:

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    起购:250
    UMW Mosfet场效应管 AO3415A
    UMW Mosfet场效应管 AO3415A

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3415A

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    功率:350mW

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    起购:250
    UMW Mosfet场效应管 AO3415A
    UMW Mosfet场效应管 AO3415A

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

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    库存:

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    起购:100
    UMW Mosfet场效应管 AO3415A
    UMW Mosfet场效应管 AO3415A

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3415A

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    起购:500
    UMW Mosfet场效应管 AO3415A
    UMW Mosfet场效应管 AO3415A

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

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    库存:

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    起购:25
    UMW Mosfet场效应管 AO3415A
    UMW Mosfet场效应管 AO3415A

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

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    功率:350mW

    阈值电压:1V@250µA

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    起购:100
    UMW Mosfet场效应管 AO3415A
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    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

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    UMW Mosfet场效应管 AO3415A
    UMW Mosfet场效应管 AO3415A

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

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    - +
    UMW Mosfet场效应管 AO3415A
    UMW Mosfet场效应管 AO3415A

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3415A

    功率:350mW

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4A

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    栅极电荷:17.2nC@4.5V

    类型:P沟道

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    导通电阻:36mΩ@4A,4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5935CDC-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5935CDC-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5935CDC-T1-E3

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    功率:3.1W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:455pF@10V

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    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:100mΩ@3.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5935CDC-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5935CDC-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5935CDC-T1-E3

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    功率:3.1W

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    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

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    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:100mΩ@3.1A,4.5V

    漏源电压:20V

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    库存:

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    起购:4
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1441EDH-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1441EDH-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1441EDH-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:41mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    NXP Mosfet场效应管 PMDPB38UNE,115
    NXP Mosfet场效应管 PMDPB38UNE,115

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":56975,"13+":21000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMDPB38UNE,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:510mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:268pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:46mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4007
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1424EDH-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1424EDH-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1424EDH-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.56W€2.8W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:33mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1424EDH-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1424EDH-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1424EDH-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.56W€2.8W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:33mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1441EDH-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1441EDH-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1441EDH-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:41mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1424EDH-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1424EDH-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1424EDH-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.56W€2.8W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:33mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2056U-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2056U-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2056U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:940mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:339pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:38mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:9000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1424EDH-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1424EDH-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1424EDH-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.56W€2.8W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:33mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2056U-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2056U-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2056U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:940mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:339pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:38mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    NXP Mosfet场效应管 PMDPB38UNE,115
    NXP Mosfet场效应管 PMDPB38UNE,115

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":56975,"13+":21000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMDPB38UNE,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:510mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:268pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:46mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3415U-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3415U-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG3415U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:294pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:P-Channel

    导通电阻:39mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1441EDH-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1441EDH-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1441EDH-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:41mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2056U-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2056U-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2056U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:940mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:339pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:38mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS3A40PZTAG 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS3A40PZTAG 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLUS3A40PZTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2600pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:29mΩ@6.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2056U-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2056U-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2056U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:940mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:339pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:38mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS3A40PZTAG 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS3A40PZTAG 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLUS3A40PZTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2600pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:29mΩ@6.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2056U-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2056U-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2056U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:940mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:339pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:38mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
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