品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV48XPA2R
工作温度:-55℃~175℃
功率:610mW€8.3W
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:679pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:49mΩ@4A,8V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3415UQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:294pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:42.5mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5935CDC-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:455pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:100mΩ@3.1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5935CDC-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:455pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:100mΩ@3.1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMDPB30XNZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:490mW€8.33W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:40mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMDPB30XNZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:490mW€8.33W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:40mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5935CDC-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:455pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:100mΩ@3.1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3415_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:756pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:57mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3415A-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:45mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":2990}
销售单位:个
规格型号(MPN):MCH6321-TL-W
工作温度:150℃
功率:1.5W
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:375pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:83mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":5270,"18+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):EMH2408-TL-H
工作温度:150℃
功率:1.2W
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:345pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:45mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5515CDC-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:632pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:N和P沟道
导通电阻:36mΩ@6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6P49NU,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1.2V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:480pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:45mΩ@3.5A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5515CDC-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:800mV@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:632pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:N和P沟道
导通电阻:36mΩ@6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6P49NU,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1.2V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:480pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:45mΩ@3.5A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1441EDH-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@8V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:41mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":2990,"18+":25000}
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN42XPE,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW€8.33W
阈值电压:1.25V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1410pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:46mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI9933CDY-T1-E3
工作温度:-50℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:665pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:58mΩ@4.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":56975,"13+":21000}
销售单位:个
规格型号(MPN):PMDPB38UNE,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:510mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:268pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:46mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3415UQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:294pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:42.5mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3415A-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:45mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1163}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC642P-F085
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5935CDC-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:455pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:100mΩ@3.1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5935CDC-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:455pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:100mΩ@3.1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3415A-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:45mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":2990,"18+":25000}
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN42XPE,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW€8.33W
阈值电压:1.25V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1410pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:46mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":3000,"23+":6000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC642P
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:925pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3415A-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:45mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5935CDC-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:455pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:100mΩ@3.1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1424EDH-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.56W€2.8W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@8V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:33mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: