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    ECCN
    漏源电压
    20V
    功率
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    行业应用
    栅极电荷
    12 nC @ 4.5 V 4.2nC@4.5V 72nC@4.5V 3.4nC@4.5V 2.18nC@10V 6.7nC@4.5V 47nC@8V 3.8nC@4.5V 700pC@4.5V 2.8nC@4.5V 26nC@10V 1.54nC@8V 90nC@10V 20nC@4.5V 3nC@4.5V 12nC@10V 38nC@10V 1.8nC@10V 43.2nC@4.5V 125nC@10V 30nC@10V 6 nC @ 4.5 V 740pC@4.5V 118nC@10V 13nC@4.5V 4.1nC@4.5V 95nC@10V 28nC@4.5V 5.2nC@4.5V 57nC@4.5V 750pC@4.5V 9.6nC@4.5V 10.2nC@4.5V 14.4nC@4.5V 8.3nC@4.5V 30nC@4.5V 6.5nC@4.5V 5.1nC@4.5V 8.8nC@4.5V 7.7nC@10V 66 nC @ 5 V 800pC@4.5V 15.6nC@10V 3.2nC@4.5V 14nC@4.5V 53nC@4.5V 21nC@4.5V 16nC@5V 19nC@4.5V 11.6nC@4.5V 5.5nC@4.5V 6.4nC@4.5V 15nC@4.5V 12.8nC@4.5V 12nC@2.5V 34nC@10V 22nC@5V 6nC@10V 23nC@10V 1.82nC@4.5V 10nC@4.5V 60nC@4.5V 103nC@10V 12.3nC@10V 7.2nC@4.5V 56.9nC@10V 4.8nC@4.5V 15.7nC@4.5V 90nC@8V 11.2nC@4.5V 18nC@10V 23.1nC@4.5V 150nC@10V 23nC@4.5V 4.7nC@4.5V 4.2nC @ 4.5V 2.5nC@5V 62nC@10V 42nC@5V 100nC@4.5V 87nC@10V 113nC@10V 12nC@4.5V 32nC@4.5V 17nC@4.5V 260nC@10V 3.9nC@4.5V 39nC@4.5V 4.5nC@4.5V 4nC@4.5V 17.3nC@4.5V 22 nC @ 4.5 V 14 nC @ 4.5 V 156nC@10V 7.8nC@4.5V 183nC@10V 2.5nC@4.5V 42nC@4.5V 34nC@4.5V 1.2nC@4.5V 10.4nC@4.5V 12.5nC@4.5V 1.1nC@4.5V 1nC@4.5V 9.3nC@4.5V 6nC@4.5V 225nC@10V 10.1nC@4.5V 6.2nC@4.5V 8.6nC@4.5V 114nC@10V 85nC@10V 2.2nC@4.5V 41nC@10V 53nC@10V 8nC@4.5V 3.1nC@4V 18nC@8V 8.4nC@4.5V 34.8nC@4.5V 5.4nC@10V 24nC @ 4.5V 1.9nC@4.5V 300pC@4.5V 35nC@4.5V 6.3nC@4.5V 19.5nC@4.5V 25nC@10V 6.7nC@10V 66nC@5V 3.1nC@4.5V 14.5nC@4.5V 4.4nC@4.5V 180nC@10V 17nC@10V 2.9nC@4.5V 56nC@10V 5nC@4.5V 22.1nC@4.5V 15.4nC@4.5V 20nC@10V 18nC@4.5V 2nC@8V 30nC@8V 7.7nC@4.5V 23.4nC@4.5V 3.6nC@4.5V 29nC@4.5V 27nC@10V 5.3nC@4.5V 500pC@4.5V 59nC@8V 32nC@10V 30nC@5V 11nC@4.5V 45nC@4.5V 177nC@10V 6.9nC@4.5V 10nC@10V 80nC@4.5V 20.2nC@4.5V 27nC@4.5V 2.1nC@4.5V 5.6nC@4.5V 60nC@8V 6.6nC@4.5V 44nC@4.5V 8.2nC@4.5V 7.5nC@4.5V 21nC@8V 86nC@10V 2.7nC@8V 25nC@4.5V 130nC@4.5V 7.6nC@4.5V 7.3nC@4.5V 63nC@10V 56nC@4.5V 70nC@4.5V 625nC@10V 1.7nC@2.5V 300nC@10V 1.3nC@4.5V 2nC@4.5V 7nC@4.5V 1.4nC@4.5V 27.6 nC @ 4.5 V 96nC@10V 12.5nC@10V 2nC@10V 4.6nC@4.5V 1.6nC@4.5V 17.2nC@4.5V 3.5nC@4.5V 8.5nC@4.5V 9nC@4.5V 6.8nC@4.5V 12nC@5V 44nC@8V 5.5nC@4V 2.8nC@10V 7.8nC@10V 1.5nC@4.5V 190nC@10V 8nC@8V 9.1nC@4.5V 3.6nC@4.45V 3.4nC@10V 4nC @ 4.5V 43nC@10V 24nC@10V 50nC@4.5V 2.3nC@4.5V 8.9nC@4.5V 19.2nC@4.5V 181nC@10V 5.4nC@4.5V 16nC@4.5V 164nC@10V 110nC@10V 30 nC @ 4.5 V 36nC@4.5V 18nC@5V 1.7nC@4.5V 230nC@4.5V 330nC@10V 500nC@4.5V 182nC@5V 585nC@10V 15.5nC@4.5V 1.14nC@4.5V 2.3nC@10V 33nC@8V 162nC@10V 7.1nC@4.5V 4.3nC@4.5V 9nC 62nC@5V 1.5nC@8V 31.1nC@8V 1.3nC@10V 6.1nC@4.5V 4.9nC@4.5V 800pC@8V 1.33nC@4.5V 8.2nC@8V 12.4nC@5V 3.5nC@4V 400nC@10V 36nC@8V 5.85nC@4.5V 99nC@10V 3.1nC@10V 93.8nC@8V 91.8nC@4.5V 19nC@8V 0.8 nC @ 5 V 6nC@4V 7.4nC@4.5V 9.7nC@4.5V 3.3nC@4.5V 11.9nC@4.5V 120nC@4.5V 5.7nC@4.5V 1.8nC@4.5V 23nC@8V 37nC@4V 1.65nC@4.5V 3.3nC@4V 116nC@4.5V 24nC@4.5V 1.23nC@4V 1.2nC@4V 4.7nC@2.5V 50nC@5V 16nC@8V 125nC@4.5V 3.81nC@4.5V 27nC@4V 20.5nC@4.5V 16.3nC@4.5V 8.3nC@8V 45nC@8V 60.2nC@10V 12.3nC@4.5V 3.4nC@4V 168nC@8V 310nC@10V 65nC@5V 16.8nC@4V 88nC@4.5V 7.7nC@4V 42.3nC@10V 38.5nC@8V 11nC 24.8nC@4.5V 10.8nC@4.5V 2nC@4V 13.8nC 4nC 736.6pC 7nC@4V 17.5nC@4.5V 0.8nC@5V 13.1nC@10V 48.5nC@4.5V 0.622nC@4.5V 0.75nC@4.5V 0.8nC@4.5V 58.3nC@10V 17.8nC@4.5V 0.62nC@4.5V 0.93nC@10V 0.7nC@4.5V 78nC@4.5V 19.1nC@4.5V 0.4nC@4.5V 0.74nC@4.5V 0.6nC@2.5V 0.58nC@4.5V 0.5nC@4.5V 99nC@8V 24nC@8V 0.31nC@4.5V 0.95nC@4.5V 180nC@8V 149nC@10V 0.5nC@4V 14.1nC@4.5V 61nC@4.5V 17nC@8V 13nC@8V 16.6nC@4.5V 109nC@4.5V 0.86nC@4.5V 97nC@4.5V 10.98nC@4.5V 26.7nC@4.5V 9.8nC@4.5V 20.3nC@4.5V 43.5nC@5V 236nC@8V 23.5nC@4.5V 10.6nC@4.5V 0.959nC@4.5V 2.7nC@10V 62nC@8V 0.8nC@8V 0.91nC@4.5V 52.7nC@4.5V 0.96nC@4.5V 0.91nC@10V 22.5nC@4.5V 0.281nC@10V 0.57nC@4.5V 0.34nC@4.5V 29.9nC@4.5V 158nC@4.5V 20nC@4V 11nC@2.5V
    连续漏极电流
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    ECCN: EAR99
    漏源电压: 20V
    当前匹配商品:1.3万+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2021UFDF-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2021UFDF-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2021UFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:730mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:59nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2760pF@15V

    连续漏极电流:9A

    类型:P沟道

    导通电阻:16mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTND31015NZTAG 起订2165个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTND31015NZTAG 起订2165个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":5468,"21+":66398}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTND31015NZTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12.3pF@15V

    连续漏极电流:200mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.5Ω@100mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8851EDB-T2-E1 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8851EDB-T2-E1 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8851EDB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:660mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:180nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6900pF@10V

    连续漏极电流:7.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:8mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV48XPA2R 起订7个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV48XPA2R 起订7个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV48XPA2R

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:610mW€8.3W

    阈值电压:1.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:679pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:49mΩ@4A,8V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2020LSN-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2020LSN-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2020LSN-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:610mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1149pF@10V

    连续漏极电流:6.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@9.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDD3706 起订601个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDD3706 起订601个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"05+":198821,"MI+":30000}

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD3706

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€44W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1882pF@10V

    连续漏极电流:14.7A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@16.2A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTJS4151PT1G 起订1575个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTJS4151PT1G 起订1575个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":4455,"20+":1633}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTJS4151PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:850pF@10V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:60mΩ@3.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8812DB-T2-E1 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8812DB-T2-E1 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8812DB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:59mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2323DDS-T1-BE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2323DDS-T1-BE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2323DDS-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:960mW€1.7W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1160pF@10V

    连续漏极电流:4.1A€5.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:39mΩ@4.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIB406EDK-T1-GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIB406EDK-T1-GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIB406EDK-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.95W€10W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:46mΩ@3.9A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2400UFB-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2400UFB-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2400UFB-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:470mW

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:36pF@16V

    连续漏极电流:750mA

    类型:N沟道

    导通电阻:550mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4943CDY-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4943CDY-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4943CDY-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1945pF@10V

    连续漏极电流:8A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:19.2mΩ@8.3A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2104V-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2104V-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2104V-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:850mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:320pF@16V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:150mΩ@950mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3415UQ-7 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3415UQ-7 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG3415UQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:294pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:42.5mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3J135TU,LF 起订6个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3J135TU,LF 起订6个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3J135TU,LF

    工作温度:150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:270pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:103mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMC2053UVT-13 起订10000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMC2053UVT-13 起订10000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC2053UVT-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:369pF@10V€440pF@10V

    连续漏极电流:4.6A€3.2A

    类型:N和P沟道互补型

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA1028NZ 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA1028NZ 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA1028NZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:340pF@10V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:68mΩ@3.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2302DDS-T1-BE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2302DDS-T1-BE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2302DDS-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:710mW

    阈值电压:850mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:57mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSL207NH6327XTSA1 起订840个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSL207NH6327XTSA1 起订840个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":54000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSL207NH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.2V@11µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:419pF@10V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:70mΩ@2.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA910PZ 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA910PZ 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA910PZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2805pF@10V

    连续漏极电流:9.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:20mΩ@9.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RU1C002ZPTCL 起订3000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RU1C002ZPTCL 起订3000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RU1C002ZPTCL

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    阈值电压:1V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:115pF@10V

    连续漏极电流:200mA

    类型:P沟道

    导通电阻:1.2Ω@200mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2066LSS-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2066LSS-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2066LSS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:820pF@15V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:40mΩ@5.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 EFC3J018NUZTDG 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 EFC3J018NUZTDG 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):EFC3J018NUZTDG

    工作温度:150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:1.3V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:23A

    类型:2N沟道(双)共漏

    导通电阻:4.7mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDG311N 起订1466个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDG311N 起订1466个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDG311N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.5nC@4.5V

    输入电容:270pF@10V

    连续漏极电流:1.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:115mΩ@1.9A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1902CDL-T1-BE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1902CDL-T1-BE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1902CDL-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW€420mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:62pF@10V

    连续漏极电流:1A€1.1A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:235mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTJD4152PT2G 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTJD4152PT2G 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTJD4152PT2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:272mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:155pF@20V

    连续漏极电流:880mA

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:260mΩ@880mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 SI2300-TP 起订6个装
    MCC Mosfet场效应管 SI2300-TP 起订6个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2300-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:482pF@10V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5935CDC-T1-E3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5935CDC-T1-E3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5935CDC-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:455pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:100mΩ@3.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTR3C21NZT1G 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTR3C21NZT1G 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR3C21NZT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:470mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1540pF@16V

    连续漏极电流:3.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5935CDC-T1-GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5935CDC-T1-GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5935CDC-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:455pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:100mΩ@3.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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