品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA1024NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:54mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ6C050UNTR
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:900pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3469DV-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.14W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:30mΩ@6.7A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3469DV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.14W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:30mΩ@6.7A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA1024NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:54mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):UT6JA3TCR
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:59mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):UT6JA3TCR
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:59mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD85301Q2T
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:469pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:27mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2312-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:865pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:41mΩ@4.3A,1.8V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3469DV-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.14W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:30mΩ@6.7A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3469DV-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.14W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:30mΩ@6.7A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD85301Q2T
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:469pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:27mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3469DV-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.14W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:30mΩ@6.7A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3415A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:940pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:45mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD85301Q2T
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:469pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:27mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J771G,LF
工作温度:150℃
功率:1.2W
阈值电压:1.2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:870pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:31mΩ@3A,8.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB43XPEAX
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W€12.5W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1550pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:48mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":8289}
销售单位:个
规格型号(MPN):UPA620TT-E1-A
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.5nC@4V
输入电容:450pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
导通电阻:38mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):UT6JA3TCR
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:59mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD85301Q2
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:469pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:27mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB29XPE,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W€12.5W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2970pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:32.5mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":25707}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLJS3A18PZTXG
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2240pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:18mΩ@7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):UT6JA3TCR
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:59mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD85301Q2
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:469pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:27mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD85301Q2
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:469pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:27mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB43XPEAX
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W€12.5W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1550pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:48mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ECH8654-TL-H
工作温度:150℃
功率:1.5W
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:960pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:38mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):UT6JA3TCR
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:59mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3415A
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:940pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:45mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB29XPEAX
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W€12.5W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2970pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:32.5mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: