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    DIODES Mosfet场效应管 DMG2302UKQ-13 起订6个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2302UKQ-13 起订6个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG2302UKQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:660mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:130pF@10V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2302UK-13 起订9个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2302UK-13 起订9个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG2302UK-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:660mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:130pF@10V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2302UK-13 起订8个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2302UK-13 起订8个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG2302UK-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:660mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:130pF@10V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLGF3501NT2G 起订802个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLGF3501NT2G 起订802个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"16+":192000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLGF3501NT2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.14W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:275pF@10V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@3.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2302UK-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2302UK-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG2302UK-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:660mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:130pF@10V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2302UK-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2302UK-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG2302UK-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:660mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:130pF@10V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2065UW-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2065UW-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2065UW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:430mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@10V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:56mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2065UW-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2065UW-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2065UW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:430mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@10V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:56mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV65XPER 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV65XPER 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV65XPER

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:480mW€6.25W

    阈值电压:1.25V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:618pF@10V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:78mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2302UK-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2302UK-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG2302UK-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:660mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:130pF@10V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2302UK-13 起订5000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2302UK-13 起订5000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG2302UK-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:660mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:130pF@10V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2302UK-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2302UK-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG2302UK-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:660mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:130pF@10V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    UMW Mosfet场效应管 SI2301A 起订1000个装
    UMW Mosfet场效应管 SI2301A 起订1000个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2301A

    工作温度:150℃

    功率:400mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:405pF@10V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:70mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV65UNER 起订12个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV65UNER 起订12个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV65UNER

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:490mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:291pF@10V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:73mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2065UW-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2065UW-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2065UW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:430mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@10V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:56mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2302UKQ-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2302UKQ-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG2302UKQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:660mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:130pF@10V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV65XPEAR 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV65XPEAR 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV65XPEAR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:480mW€6.25W

    阈值电压:1.25V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:618pF@10V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:78mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2302UKQ-13 起订2000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2302UKQ-13 起订2000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG2302UKQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:660mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:130pF@10V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 SI2301-TP 起订500个装
    MCC Mosfet场效应管 SI2301-TP 起订500个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2301-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:880pF@6V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:120mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 SI2301-TP 起订100个装
    MCC Mosfet场效应管 SI2301-TP 起订100个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2301-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:880pF@6V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:120mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLGF3501NT2G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLGF3501NT2G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"16+":192000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLGF3501NT2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.14W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:275pF@10V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@3.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2302UKQ-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2302UKQ-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG2302UKQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:660mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:130pF@10V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV65XPEAR 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV65XPEAR 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV65XPEAR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:480mW€6.25W

    阈值电压:1.25V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:618pF@10V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:78mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV65XPVL 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV65XPVL 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV65XPVL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:480mW

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.7nC@4V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:744pF@20V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:74mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV65XP,215 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV65XP,215 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV65XP,215

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:480mW

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:744pF@20V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:74mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLGF3501NT1G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLGF3501NT1G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"06+":6000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLGF3501NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.14W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:275pF@10V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@3.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV65XPER 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV65XPER 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV65XPER

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:480mW€6.25W

    阈值电压:1.25V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:618pF@10V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:78mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 MGSF2N02ELT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 MGSF2N02ELT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MGSF2N02ELT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.5nC@4V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@5V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2075UDW-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2075UDW-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2075UDW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:594.3pF@10V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:48mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV65XP,215 起订6000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV65XP,215 起订6000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV65XP,215

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:480mW

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:744pF@20V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:74mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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