品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G09P02L
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.2W
阈值电压:1.2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@10V
连续漏极电流:9A
类型:1个P沟道
导通电阻:23mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI6423ADQ-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W€2.2W
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:168nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5.875nF@10V
连续漏极电流:12.5A€10.3A
类型:1个P沟道
导通电阻:9.8mΩ@10A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI6423ADQ-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W€2.2W
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:168nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5.875nF@10V
连续漏极电流:12.5A€10.3A
类型:1个P沟道
导通电阻:9.8mΩ@10A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":180000}
销售单位:个
规格型号(MPN):UPA2210T1M-T1-AT
功率:1.1W
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.3nC@4.5V
输入电容:1.35nF@10V
连续漏极电流:7.2A
类型:1个P沟道
导通电阻:29mΩ@7.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA291P
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.4W
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@4.5V
输入电容:1nF@10V
连续漏极电流:6.6A
类型:1个P沟道
导通电阻:42mΩ@6.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2065UQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:900mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:808pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:1个P沟道
导通电阻:60mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA291P
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.4W
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@4.5V
输入电容:1nF@10V
连续漏极电流:6.6A
类型:1个P沟道
导通电阻:42mΩ@6.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G09P02L
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.2W
阈值电压:1.2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@10V
连续漏极电流:9A
类型:1个P沟道
导通电阻:23mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3411-AU_R1_000A1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:416pF@10V
连续漏极电流:3.1A
类型:1个P沟道
导通电阻:100mΩ@3.1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":5656,"MI+":3558}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6576
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:1.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4.044nF@10V
连续漏极电流:11A
类型:1个P沟道
导通电阻:14mΩ@4.5V,11A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":5656,"MI+":3558}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6576
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:1.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4.044nF@10V
连续漏极电流:11A
类型:1个P沟道
导通电阻:14mΩ@4.5V,11A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI6423ADQ-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W€2.2W
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:168nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5.875nF@10V
连续漏极电流:12.5A€10.3A
类型:1个P沟道
导通电阻:9.8mΩ@10A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2110UQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@4.5V
输入电容:443pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:80mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI6423ADQ-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W€2.2W
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:168nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5.875nF@10V
连续漏极电流:12.5A€10.3A
类型:1个P沟道
导通电阻:9.8mΩ@10A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIL2305B-TP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W
阈值电压:900mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:740pF@4V
连续漏极电流:5.4A
类型:1个P沟道
导通电阻:60mΩ@2.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS332P
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:195pF@10V
连续漏极电流:1A
类型:1个P沟道
导通电阻:300mΩ@4.5V,1.1A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA291P
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.4W
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@4.5V
输入电容:1nF@10V
连续漏极电流:6.6A
类型:1个P沟道
导通电阻:42mΩ@6.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI6423ADQ-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W€2.2W
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:168nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5.875nF@10V
连续漏极电流:12.5A€10.3A
类型:1个P沟道
导通电阻:9.8mΩ@10A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQA401CEJW-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:13.6W
阈值电压:1.3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@10V
连续漏极电流:3.75A
类型:1个P沟道
导通电阻:125mΩ@2.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2045UQ-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:634pF@10V
连续漏极电流:4.3A
类型:1个P沟道
导通电阻:45mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2045UQ-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:634pF@10V
连续漏极电流:4.3A
类型:1个P沟道
导通电阻:45mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3411-AU_R1_000A1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:416pF@10V
连续漏极电流:3.1A
类型:1个P沟道
导通电阻:100mΩ@3.1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2305UQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.4W
阈值电压:900mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:727pF@20V
连续漏极电流:4.2A
类型:1个P沟道
导通电阻:60mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN30XPAX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:7.5W€660mW
阈值电压:1.3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.039nF@10V
连续漏极电流:5.2A
类型:1个P沟道
导通电阻:33mΩ@5.2A,8V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3411-AU_R1_000A1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:416pF@10V
连续漏极电流:3.1A
类型:1个P沟道
导通电阻:100mΩ@3.1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2065UQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:900mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:808pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:1个P沟道
导通电阻:60mΩ@4.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G09P02L
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.2W
阈值电压:1.2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@10V
连续漏极电流:9A
类型:1个P沟道
导通电阻:23mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2110U-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:443pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:80mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP22D5UFO-7B
工作温度:-55℃~+150℃
功率:340mW
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:300pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:17pF@16V
连续漏极电流:530mA
类型:1个P沟道
导通电阻:1.9Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6576
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:1.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4.044nF@10V
连续漏极电流:11A
类型:1个P沟道
导通电阻:14mΩ@4.5V,11A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: