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    ECCN: EAR99
    漏源电压: 20V
    工作温度: 150℃
    当前匹配商品:1900+
    商品信息
    参数
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    操作
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3J135TU,LF 起订6个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3J135TU,LF 起订6个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3J135TU,LF

    工作温度:150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:270pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:103mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RU1C002ZPTCL 起订3000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RU1C002ZPTCL 起订3000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RU1C002ZPTCL

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    阈值电压:1V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:115pF@10V

    连续漏极电流:200mA

    类型:P沟道

    导通电阻:1.2Ω@200mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 EFC3J018NUZTDG 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 EFC3J018NUZTDG 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):EFC3J018NUZTDG

    工作温度:150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:1.3V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:23A

    类型:2N沟道(双)共漏

    导通电阻:4.7mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3J35CT,L3F 起订13个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3J35CT,L3F 起订13个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3J35CT,L3F

    工作温度:150℃

    功率:100mW

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12.2pF@3V

    连续漏极电流:100mA

    类型:P沟道

    导通电阻:8Ω@50mA,4V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RV1C002UNT2CL 起订13个装
    ROHM Mosfet场效应管 RV1C002UNT2CL 起订13个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RV1C002UNT2CL

    工作温度:150℃

    功率:100mW

    阈值电压:1V@100µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12pF@10V

    连续漏极电流:150mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@150mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J801R,LF 起订9个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM6J801R,LF 起订9个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6J801R,LF

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:840pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:32.5mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K16CT,L3F 起订13个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K16CT,L3F 起订13个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K16CT,L3F

    工作温度:150℃

    功率:100mW

    阈值电压:1.1V@100µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9.3pF@3V

    连续漏极电流:100mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@10mA,4V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3J35CTC,L3F 起订12个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3J35CTC,L3F 起订12个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3J35CTC,L3F

    工作温度:150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@100µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:42pF@10V

    连续漏极电流:250mA

    类型:P沟道

    导通电阻:1.4Ω@150mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RU1C002ZPTCL 起订16个装
    ROHM Mosfet场效应管 RU1C002ZPTCL 起订16个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RU1C002ZPTCL

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    阈值电压:1V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:115pF@10V

    连续漏极电流:200mA

    类型:P沟道

    导通电阻:1.2Ω@200mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM650P02CX RFG 起订5个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM650P02CX RFG 起订5个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM650P02CX RFG

    工作温度:150℃

    功率:1.56W

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:515pF@10V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RUF020N02TL 起订4个装
    ROHM Mosfet场效应管 RUF020N02TL 起订4个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RUF020N02TL

    工作温度:150℃

    功率:320mW

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:180pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:105mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K36FS,LF 起订12个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K36FS,LF 起订12个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K36FS,LF

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.23nC@4V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:46pF@10V

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    导通电阻:630mΩ@200mA,5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6N16FUTE85LF 起订7个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6N16FUTE85LF 起订7个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6N16FUTE85LF

    工作温度:150℃

    功率:200mW

    阈值电压:1.1V@100µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9.3pF@3V

    连续漏极电流:100mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:3Ω@10mA,4V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RA1C030LDT5CL 起订4个装
    ROHM Mosfet场效应管 RA1C030LDT5CL 起订4个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RA1C030LDT5CL

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:140mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6L36FE,LM 起订7个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6L36FE,LM 起订7个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6L36FE,LM

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:46pF@10V

    连续漏极电流:500mA€330mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:630mΩ@200mA,5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    UMW Mosfet场效应管 AO3423A 起订6个装
    UMW Mosfet场效应管 AO3423A 起订6个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3423A

    工作温度:150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:325pF@4.5V

    连续漏极电流:2A

    类型:P沟道

    导通电阻:120mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ6C050UNTR 起订4个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ6C050UNTR 起订4个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ6C050UNTR

    工作温度:150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:900pF@10V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3J35AFS,LF 起订12个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3J35AFS,LF 起订12个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3J35AFS,LF

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    阈值电压:1V@100µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:42pF@10V

    连续漏极电流:250mA

    类型:P沟道

    导通电阻:1.4Ω@150mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K37CT,L3F 起订14个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K37CT,L3F 起订14个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K37CT,L3F

    工作温度:150℃

    功率:100mW

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12pF@10V

    连续漏极电流:200mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.2Ω@100mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RTF015P02TL 起订3个装
    ROHM Mosfet场效应管 RTF015P02TL 起订3个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RTF015P02TL

    工作温度:150℃

    功率:800mW

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:560pF@10V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:135mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RA1C030LDT5CL 起订4个装
    ROHM Mosfet场效应管 RA1C030LDT5CL 起订4个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RA1C030LDT5CL

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:140mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 MCH6321-TL-W 起订2914个装
    onsemi Mosfet场效应管 MCH6321-TL-W 起订2914个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"16+":2990}

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCH6321-TL-W

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:375pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:83mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 ECH8656-TL-H 起订1002个装
    onsemi Mosfet场效应管 ECH8656-TL-H 起订1002个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"13+":81000,"15+":3000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):ECH8656-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1.3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1060pF@10V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:17mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 EMH2408-TL-H 起订898个装
    onsemi Mosfet场效应管 EMH2408-TL-H 起订898个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"13+":5270,"18+":3000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):EMH2408-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:1.2W

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:345pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:45mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 SCH1343-TL-H 起订2466个装
    onsemi Mosfet场效应管 SCH1343-TL-H 起订2466个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":110000,"13+":795000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):SCH1343-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:1W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1220pF@10V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:72mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K37CT,L3F 起订14个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K37CT,L3F 起订14个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K37CT,L3F

    工作温度:150℃

    功率:100mW

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12pF@10V

    连续漏极电流:200mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.2Ω@100mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 SCH1332-TL-W 起订3206个装
    onsemi Mosfet场效应管 SCH1332-TL-W 起订3206个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"16+":12886}

    销售单位:

    规格型号(MPN):SCH1332-TL-W

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:375pF@10V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:95mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RUL035N02TR 起订3个装
    ROHM Mosfet场效应管 RUL035N02TR 起订3个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RUL035N02TR

    工作温度:150℃

    功率:320mW

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:460pF@10V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:43mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6P36TU,LF 起订5个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6P36TU,LF 起订5个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6P36TU,LF

    工作温度:150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:43pF@10V

    连续漏极电流:330mA

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:1.31Ω@100mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMCM4401UNEZ 起订6个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMCM4401UNEZ 起订6个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMCM4401UNEZ

    工作温度:150℃

    功率:400mW

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:5.4A

    类型:N沟道

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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