采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：730000，"17+"：124000，"19+"：205000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：EFC6605R-V-TR
工作温度：150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10A
类型：2个N沟道
导通电阻：13.3mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2022LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2444pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：13mΩ@10A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J501NU，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2600pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：15.3mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J501NU，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2600pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：15.3mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVF6P02T3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：8.3W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@16V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTF6P02T3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：8.3W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@16V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J501NU，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2600pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：15.3mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：730000，"17+"：124000，"19+"：205000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：EFC6605R-V-TR
工作温度：150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10A
类型：2个N沟道
导通电阻：13.3mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTF6P02T3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：8.3W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@16V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTF6P02T3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：8.3W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@16V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTF6P02T3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：8.3W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@16V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVF6P02T3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：8.3W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@16V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVF6P02T3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：8.3W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@16V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4421DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：800mV@850µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：125nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：8.75mΩ@14A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2022LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2444pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：13mΩ@10A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J501NU，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2600pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：15.3mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVF6P02T3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：8.3W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@16V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2022LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2444pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：13mΩ@10A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVF6P02T3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：8.3W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@16V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVF6P02T3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：8.3W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@16V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVF6P02T3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：8.3W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@16V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J501NU，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2600pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：15.3mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTF6P02T3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：8.3W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@16V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA1818GR-9JG-E1-A
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@4V
输入电容：2.2nF@10V
连续漏极电流：10A
类型：1个P沟道
导通电阻：15.2mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4C100BCTCR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：1.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1660pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：15.6mΩ@10A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2022LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2444pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：13mΩ@10A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：26611，"23+"：22998，"MI+"：9644}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDZ1323NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2055pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：13mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2022LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2444pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：13mΩ@10A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2022LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2444pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：13mΩ@10A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTF6P02T3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：8.3W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@16V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
