采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4943CDY-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1945pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：19.2mΩ@8.3A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTJD4152PT2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：272mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：155pF@20V
连续漏极电流：880mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：260mΩ@880mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5935CDC-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：455pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：100mΩ@3.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5935CDC-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：455pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：100mΩ@3.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDT670UPE，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：87pF@10V
连续漏极电流：550mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：850mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS903DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.6W€23W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2565pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：20.1mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2900UVQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：49pF@16V
连续漏极电流：850mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：750mΩ@430mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4943CDY-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1945pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：19.2mΩ@8.3A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA1025P
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：450pF@10V
连续漏极电流：3.1A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：155mΩ@3.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDPB70XPE，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：515mW
阈值电压：1.25V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：79mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC6310P
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：337pF@10V
连续漏极电流：2.2A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：125mΩ@2.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA921EDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.8W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：59mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2065UFDB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.54W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：752pF@15V
连续漏极电流：4.5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：50mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5935CDC-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：455pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：100mΩ@3.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2065UFDB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.54W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：752pF@15V
连续漏极电流：4.5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：50mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC6306P
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：441pF@10V
连续漏极电流：1.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：170mΩ@1.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA923AEDJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.8W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：54mΩ@3.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTJD4152PT2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：272mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：155pF@20V
连续漏极电流：880mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：260mΩ@880mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2160UFDBQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：536pF@10V
连续漏极电流：3.8A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：70mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：17500，"13+"：12500，"14+"：927500，"MI+"：73870}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSO211PNTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.2V@25µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：920pF@15V
连续漏极电流：4.7A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：67mΩ@4.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2160UFDBQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：536pF@10V
连续漏极电流：3.8A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：70mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6P36TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：43pF@10V
连续漏极电流：330mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：1.31Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC6306P
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：441pF@10V
连续漏极电流：1.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：170mΩ@1.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDPB70XPE，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：515mW
阈值电压：1.25V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：79mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJD3115PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：710mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：531pF@10V
连续漏极电流：2.3A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：100mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2900UVQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：49pF@16V
连续漏极电流：850mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：750mΩ@430mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6P49NU，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：480pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：45mΩ@3.5A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6P49NU，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：480pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：45mΩ@3.5A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：4970，"21+"：15000，"22+"：130000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDXB950UPEZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：265mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：43pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：1.4Ω@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDXB950UPEZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：265mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：43pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：1.4Ω@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
