品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDG1024NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@10V
连续漏极电流:1.2A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:175mΩ@1.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDG1024NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@10V
连续漏极电流:1.2A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:175mΩ@1.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDG1024NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@10V
连续漏极电流:1.2A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:175mΩ@1.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLML2803TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:540mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:85pF@25V
连续漏极电流:1.2A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@910mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLML2803TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:540mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:85pF@25V
连续漏极电流:1.2A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@910mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDG1024NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@10V
连续漏极电流:1.2A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:175mΩ@1.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":32091,"MI+":5500}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDG1024NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@10V
连续漏极电流:1.2A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:175mΩ@1.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDG1024NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@10V
连续漏极电流:1.2A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:175mΩ@1.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":1175}
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD75301W1015
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:195pF@10V
连续漏极电流:1.2A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:100mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLML2803TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:540mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:85pF@25V
连续漏极电流:1.2A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@910mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDG1024NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@10V
连续漏极电流:1.2A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:175mΩ@1.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLML2803TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:540mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:85pF@25V
连续漏极电流:1.2A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@910mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLML2803TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:540mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:85pF@25V
连续漏极电流:1.2A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@910mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDG1024NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@10V
连续漏极电流:1.2A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:175mΩ@1.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDG1024NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@10V
连续漏极电流:1.2A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:175mΩ@1.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDG1024NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@10V
连续漏极电流:1.2A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:175mΩ@1.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDG1024NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@10V
连续漏极电流:1.2A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:175mΩ@1.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDG1024NZ
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:1.2A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:175mΩ@1.2A,4.5V
功率:300mW
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
输入电容:150pF@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDG1024NZ
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:1.2A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:175mΩ@1.2A,4.5V
功率:300mW
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
输入电容:150pF@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"12+":1175}
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD75301W1015
包装方式:卷带(TR)
功率:800mW
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:1.2A
导通电阻:100mΩ@1A,4.5V
类型:2个P沟道(双)
输入电容:195pF@10V
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLML2803TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:540mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:85pF@25V
连续漏极电流:1.2A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@910mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLML2803TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:540mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:85pF@25V
连续漏极电流:1.2A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@910mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":32091,"MI+":5500}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDG1024NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@10V
连续漏极电流:1.2A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:175mΩ@1.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":2239}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLML2803TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:540mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:85pF@25V
连续漏极电流:1.2A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@910mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLML2803TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:540mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:85pF@25V
连续漏极电流:1.2A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@910mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLML2803TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:540mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:85pF@25V
连续漏极电流:1.2A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@910mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLML2803TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:540mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:85pF@25V
连续漏极电流:1.2A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@910mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDG1024NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@10V
连续漏极电流:1.2A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:175mΩ@1.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDG1024NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@10V
连续漏极电流:1.2A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:175mΩ@1.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLML2803TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:540mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:85pF@25V
连续漏极电流:1.2A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@910mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: