生产批次:{"22+":2900}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA905P
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@6V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3405pF@6V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:16mΩ@10A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":56140}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLJS3113PTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1329pF@16V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:40mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":354,"22+":14000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLUS3A18PZTCG
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2240pF@15V
连续漏极电流:5.1A
类型:P沟道
导通电阻:18mΩ@7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLUS3A90PZTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:600mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@10V
连续漏极电流:2.6A
类型:P沟道
导通电阻:62mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLUS3A90PZTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:600mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@10V
连续漏极电流:2.6A
类型:P沟道
导通电阻:62mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":36000,"13+":7940,"15+":336000,"18+":608869}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTNUS3171PZT5G
工作温度:-55℃~150℃
功率:125mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13pF@15V
连续漏极电流:150mA
类型:P沟道
导通电阻:3.5Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":3954,"11+":2950,"12+":119518,"13+":750000,"18+":3000,"19+":21000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLUS3A90PZTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:600mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@10V
连续漏极电流:2.6A
类型:P沟道
导通电阻:62mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":72000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC510P-F106
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€41W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:116nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7860pF@10V
连续漏极电流:12A€18A
类型:P沟道
导通电阻:8mΩ@12A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:{"19+":87000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA905P
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@6V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3405pF@6V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:16mΩ@10A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":72000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC510P-F106
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€41W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:116nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7860pF@10V
连续漏极电流:12A€18A
类型:P沟道
导通电阻:8mΩ@12A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":151765}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTZS3151PT1H
工作温度:-55℃~150℃
功率:170mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:458pF@16V
连续漏极电流:860mA
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@950mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":28334,"14+":39000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLUS3A39PZCTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:600mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@15V
连续漏极电流:3.4A
类型:P沟道
导通电阻:39mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"08+":307000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLJS4149PTBG
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:960pF@15V
连续漏极电流:2.7A
类型:P沟道
导通电阻:62mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLJF3117PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:710mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:531pF@10V
连续漏极电流:2.3A
类型:P沟道
导通电阻:100mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):NVF6P02T3G
工作温度:-55℃~150℃
功率:8.3W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@16V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":5546,"21+":6813,"22+":9964,"23+":11450,"MI+":7771}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC6688P
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€30W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:61nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7435pF@10V
连续漏极电流:14A€56A
类型:P沟道
导通电阻:6.5mΩ@14A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":30000,"22+":18000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLUS3A18PZTBG
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2240pF@15V
连续漏极电流:5.1A
类型:P沟道
导通电阻:18mΩ@7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):NTF6P02T3G
工作温度:-55℃~150℃
功率:8.3W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@16V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":5546,"21+":6813,"22+":9964,"23+":11450,"MI+":7771}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC6688P
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€30W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:61nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7435pF@10V
连续漏极电流:14A€56A
类型:P沟道
导通电阻:6.5mΩ@14A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTZS3151PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:170mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:458pF@16V
连续漏极电流:860mA
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@950mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLUS3A18PZTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2240pF@15V
连续漏极电流:5.1A
类型:P沟道
导通电阻:18mΩ@7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):NTF6P02T3G
工作温度:-55℃~150℃
功率:8.3W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@16V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):NTF6P02T3G
工作温度:-55℃~150℃
功率:8.3W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@16V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDY102PZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:625mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:135pF@10V
连续漏极电流:830mA
类型:P沟道
导通电阻:500mΩ@830mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):NTF6P02T3G
工作温度:-55℃~150℃
功率:8.3W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@16V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"24+":9000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS3A08PZTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:840mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5000pF@10V
连续漏极电流:9A
类型:P沟道
导通电阻:6.7mΩ@12A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR3A052PZT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:860mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1243pF@4V
连续漏极电流:3.6A
类型:P沟道
导通电阻:47mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTZS3151PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:170mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:458pF@16V
连续漏极电流:860mA
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@950mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":25707}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLJS3A18PZTXG
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2240pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:18mΩ@7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: