采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ035N03LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€69W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4400pF@15V
连续漏极电流：20A€40A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC120N03LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€28W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@15V
连续漏极电流：12A€39A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：50000，"MI+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC120N03LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€28W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@15V
连续漏极电流：12A€39A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC042N03LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€57W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3500pF@15V
连续漏极电流：20A€93A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA64DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：27.8W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3420pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C10NBT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.51W€23.6W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：987pF@15V
连续漏极电流：16.4A€46A
类型：N沟道
导通电阻：6.95mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4630DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€7.8W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：161nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6670pF@15V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：75000，"22+"：4500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS4C08NTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：820mW€25.5W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1113pF@15V
连续漏极电流：9.3A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：117781，"12+"：4500，"13+"：3000，"14+"：34260}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4943NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：910mW€22.3W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1401pF@15V
连续漏极电流：8.3A€41A
类型：N沟道
导通电阻：7.2mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7997DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：46W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6200pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：5.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS4C01NWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.84W€161W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：139nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10144pF@15V
连续漏极电流：49A€319A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON7528
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.2W€83W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2895pF@15V
连续漏极电流：45A€50A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA12DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.5W€31W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2070pF@15V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ142ELP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：190W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3015pF@25V
连续漏极电流：175A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZ980DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W€66W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：930pF@15V€4600pF@15V
连续漏极电流：20A€60A
类型：2个N通道（双），肖特基
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：2805}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC150N03LDGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：26W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS27ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4660pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：5.1mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS4C05NTWG
工作温度：-55℃~150℃
功率：820mW€33W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1988pF@15V
连续漏极电流：12A€75A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：3121}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ100N03LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€30W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@15V
连续漏极电流：12A€40A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR474DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.9W€29.8W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：985pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：134039}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS4929NTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：810mW€22.3W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：920pF@15V
连续漏极电流：6.6A€34A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON7528
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.2W€83W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2895pF@15V
连续漏极电流：45A€50A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS4C25NTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€14.3W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：10.1A€22.1A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS4930NTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：790mW€20.2W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：476pF@15V
连续漏极电流：4.5A€23A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA02DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€71.4W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：117nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6150pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJS5D0N03CTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：860mW
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1255pF@15V
连续漏极电流：11.2A
类型：N沟道
导通电阻：4.38mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4354
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2010pF@15V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC042N03LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€57W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3500pF@15V
连续漏极电流：20A€93A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS4C10NWFTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€28W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：993pF@15V
连续漏极电流：15.3A€47A
类型：N沟道
导通电阻：7.4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ035N03LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€69W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4400pF@15V
连续漏极电流：20A€40A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
