采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ142ELP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：190W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3015pF@25V
连续漏极电流：175A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18502Q5B
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€156W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5070pF@20V
连续漏极电流：26A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18509Q5B
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€195W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：195nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13900pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@32A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18509Q5BT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€195W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：195nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13900pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@32A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA50ADP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€100W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7300pF@20V
连续漏极电流：54.8A€219A
类型：N沟道
导通电阻：1.04mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA50ADP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€100W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7300pF@20V
连续漏极电流：54.8A€219A
类型：N沟道
导通电阻：1.04mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ142ELP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：190W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3015pF@25V
连续漏极电流：175A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA50ADP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€100W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7300pF@20V
连续漏极电流：54.8A€219A
类型：N沟道
导通电阻：1.04mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA50ADP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€100W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7300pF@20V
连续漏极电流：54.8A€219A
类型：N沟道
导通电阻：1.04mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD90P04P4L04ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：176nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11570pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：P沟道
导通电阻：4.3mΩ@90A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18512Q5BT
工作温度：-55℃~150℃
功率：139W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7120pF@20V
连续漏极电流：211A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD90P04P4L04ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：176nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11570pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：P沟道
导通电阻：4.3mΩ@90A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1837}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD90P04P4L04ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：176nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11570pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：P沟道
导通电阻：4.3mΩ@90A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD90P04P4L04ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：176nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11570pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：P沟道
导通电阻：4.3mΩ@90A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18509Q5BT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€195W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：195nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13900pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@32A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18509Q5BT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€195W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：195nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13900pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@32A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA441DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：890pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：47mΩ@4.4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18502Q5BT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€156W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5070pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA50DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€100W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：194nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8445pF@20V
连续漏极电流：62.5A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJB02ELP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：27W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@20V
连续漏极电流：30A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：7.5mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4447DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：805pF@20V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：72mΩ@4.5A，15V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJB02ELP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：27W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@20V
连续漏极电流：30A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：7.5mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1837}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD90P04P4L04ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：176nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11570pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：P沟道
导通电阻：4.3mΩ@90A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOB240L
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.9W€176W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3510pF@20V
连续漏极电流：20A€105A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18502Q5B
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€156W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5070pF@20V
连续漏极电流：26A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4447DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：805pF@20V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：72mΩ@4.5A，15V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOB240L
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.9W€176W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3510pF@20V
连续漏极电流：20A€105A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ142ELP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：190W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3015pF@25V
连续漏极电流：175A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP4047LFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1382pF@20V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：33mΩ@4.4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA50DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€100W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：194nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8445pF@20V
连续漏极电流：62.5A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
