品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIB406EDK-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.95W€10W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:46mΩ@3.9A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA921EDJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:7.8W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:59mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTGS3130NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:600mW
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:935pF@16V
连续漏极电流:4.23A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@5.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4463BDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:9.8A
类型:P沟道
导通电阻:11mΩ@13.7A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7540ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1310pF@10V
连续漏极电流:12A€9A
类型:N和P沟道
导通电阻:28mΩ@12A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5457DC-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.7W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:36mΩ@4.9A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":33000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA008P20LZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4383pF@10V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:13mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD85312Q3E
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2390pF@10V
连续漏极电流:39A
类型:2N沟道(双)共源
导通电阻:12.4mΩ@10A,8V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2003UPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:177nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8352pF@10V
连续漏极电流:150A
类型:P沟道
导通电阻:2.2mΩ@25A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI9933CDY-T1-E3
工作温度:-50℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:665pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:58mΩ@4.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7540ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1310pF@10V
连续漏极电流:12A€9A
类型:N和P沟道
导通电阻:28mΩ@12A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD85312Q3E
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2390pF@10V
连续漏极电流:39A
类型:2N沟道(双)共源
导通电阻:12.4mΩ@10A,8V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7157DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:625nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:22000pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:1.6mΩ@25A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3443BDV-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.6A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@4.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":429,"14+":2029,"15+":4000}
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD85312Q3E
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2390pF@10V
连续漏极电流:39A
类型:2N沟道(双)共源
导通电阻:12.4mΩ@10A,8V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7540ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1310pF@10V
连续漏极电流:12A€9A
类型:N和P沟道
导通电阻:28mΩ@12A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7137DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:585nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20000pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:1.95mΩ@25A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2075UFDB-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:642pF@10V
连续漏极电流:3.8A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:75mΩ@2.9A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI9933CDY-T1-E3
工作温度:-50℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:665pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:58mΩ@4.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2046U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:760mW
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:292pF@10V
连续漏极电流:3.4A
类型:N沟道
导通电阻:72mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3443BDV-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.6A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@4.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM3443CX6 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@10V
连续漏极电流:4.7A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@4.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7157DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:625nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:22000pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:1.6mΩ@25A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5457DC-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.7W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:36mΩ@4.9A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2075UFDB-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:642pF@10V
连续漏极电流:3.8A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:75mΩ@2.9A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA921EDJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:7.8W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:59mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7137DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:585nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20000pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:1.95mΩ@25A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2100U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:216pF@15V
连续漏极电流:4.3A
类型:P沟道
导通电阻:38mΩ@3.5A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO6415
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@10V
连续漏极电流:3.3A
类型:P沟道
导通电阻:75mΩ@3.3A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2046U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:760mW
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:292pF@10V
连续漏极电流:3.4A
类型:N沟道
导通电阻:72mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: