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    DIODES Mosfet场效应管 DMT6017LSS-13 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6017LSS-13 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6017LSS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:864pF@30V

    连续漏极电流:9.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6017LSS-13 起订2500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6017LSS-13 起订2500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6017LSS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:864pF@30V

    连续漏极电流:9.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6017LSS-13 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6017LSS-13 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6017LSS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:864pF@30V

    连续漏极电流:9.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6016LPS-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6016LPS-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6016LPS-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€37.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:864pF@30V

    连续漏极电流:10.6A€37.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6016LPS-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6016LPS-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6016LPS-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€37.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:864pF@30V

    连续漏极电流:10.6A€37.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6016LFVWQ-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6016LFVWQ-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6016LFVWQ-7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.17W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:939pF@30V

    连续漏极电流:41A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 2N7002-7-F 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 2N7002-7-F 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002-7-F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:370mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:115mA

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5Ω@50mA,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6015LFV-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6015LFV-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6015LFV-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.2W€30W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1103pF@30V

    连续漏极电流:9.5A€35A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN601VKQ-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN601VKQ-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN601VKQ-7

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:305mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:2Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1029SV-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1029SV-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1029SV-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:450mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:30pF@25V€25pF@25V

    连续漏极电流:500mA€360mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:1.7Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 2N7002DWS-7 起订11个装
    DIODES Mosfet场效应管 2N7002DWS-7 起订11个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002DWS-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:290mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:41pF@25V

    连续漏极电流:247mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:4Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 2N7002-7-F 起订50个装
    DIODES Mosfet场效应管 2N7002-7-F 起订50个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002-7-F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:370mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:115mA

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5Ω@50mA,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6016LPDQ-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6016LPDQ-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6016LPDQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W€37.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:864pF@30V

    连续漏极电流:9.2A€33.2A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:19mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN601VKQ-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN601VKQ-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN601VKQ-7

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:305mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:2Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6018LPSQ-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6018LPSQ-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP6018LPSQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.6W€113W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3505pF@30V

    连续漏极电流:60A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@17A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN601VK-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN601VK-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN601VK-7

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:305mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:2Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 2N7002DWS-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 2N7002DWS-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002DWS-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:290mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:41pF@25V

    连续漏极电流:247mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:4Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN67D8LW-13 起订22个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN67D8LW-13 起订22个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN67D8LW-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:320mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.82nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:22pF@25V

    连续漏极电流:240mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1029SV-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1029SV-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG1029SV-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:450mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:30pF@25V€25pF@25V

    连续漏极电流:500mA€360mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:1.7Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6016LPSQ-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6016LPSQ-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6016LPSQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.6W€37.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:864pF@30V

    连续漏极电流:9.8A€37A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN67D7L-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN67D7L-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN67D7L-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:570mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.821nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:22pF@25V

    连续漏极电流:210mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6016LPDQ-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6016LPDQ-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6016LPDQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W€37.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:864pF@30V

    连续漏极电流:9.2A€33.2A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:19mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN601VKQ-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN601VKQ-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN601VKQ-7

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:305mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:2Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN67D7L-13 起订19个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN67D7L-13 起订19个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN67D7L-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:570mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.821nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:22pF@25V

    连续漏极电流:210mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6017LSS-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6017LSS-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6017LSS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:864pF@30V

    连续漏极电流:9.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN67D8L-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN67D8L-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN67D8L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:340mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.82nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:22pF@25V

    连续漏极电流:210mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6018LPSQ-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6018LPSQ-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP6018LPSQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.6W€113W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3505pF@30V

    连续漏极电流:60A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@17A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN67D8LW-7 起订22个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN67D8LW-7 起订22个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN67D8LW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:320mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.82nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:22pF@25V

    连续漏极电流:240mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 2N7002Q-7-F 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 2N7002Q-7-F 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002Q-7-F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:370mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.233nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:170mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6016LPS-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6016LPS-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6016LPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.23W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:864pF@30V

    连续漏极电流:10.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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