采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH6010SK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2841pF@30V
连续漏极电流：16.3A€70A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH6050SFGQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1293pF@30V
连续漏极电流：6.1A€18A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6017LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：864pF@30V
连续漏极电流：9.2A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN4206GVTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH6008SCTQ
工作温度：-55℃~175℃
功率：210W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2596pF@30V
连续漏极电流：130A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6017LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：864pF@30V
连续漏极电流：9.2A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN66D0LDW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23pF@25V
连续漏极电流：115mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：6Ω@115mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D0UDW-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：320mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：32pF@30V
连续漏极电流：350mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2Ω@100mA，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH6004LPSQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W€138W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4515pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP6A16DN8QTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.81W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1021pF@30V
连续漏极电流：2.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：85mΩ@2.9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6110SVTQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@30V
连续漏极电流：7.3A
类型：P沟道
导通电阻：105mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6017LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：864pF@30V
连续漏极电流：9.2A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6040SVTQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1287pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：44mΩ@4.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH6250S-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：920mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：512pF@30V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：155mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6110SSDQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@30V
连续漏极电流：7.8A
类型：P沟道
导通电阻：105mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH6010LPD-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.8W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2615pF@30V
连续漏极电流：13.1A€47.6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：11mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D0LFB-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：470mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.45nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：32pF@25V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@100mA，4V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH6010LPD-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.8W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2615pF@30V
连续漏极电流：13.1A€47.6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：11mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN66D0LDW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23pF@25V
连续漏极电流：115mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：6Ω@115mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6350S-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：720mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：206pF@30V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：350mΩ@900mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH6012LK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1926pF@30V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN63D1LV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：940mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@25V
连续漏极电流：550mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D1LFB-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：64pF@25V
连续漏极电流：320mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@100mA，4V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN4206A
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：散装
输入电容：100pF@25V
连续漏极电流：600mA
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6070SFCL-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：606pF@20V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6070SFCL-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：606pF@20V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH6010SK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2841pF@30V
连续漏极电流：16.3A€70A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D0UT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：230mW
阈值电压：1V@250A
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：32pF@30V
连续漏极电流：320mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@50mA，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT61M5SPSW-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€139W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8306pF@30V
连续漏极电流：215A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6050SFG-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1293pF@30V
连续漏极电流：4.8A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
