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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1L151ATTB1
工作温度：150℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6900pF@30V
连续漏极电流：56A
类型：P沟道
导通电阻：11.3mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1L151ATTB1
工作温度：150℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6900pF@30V
连续漏极电流：56A
类型：P沟道
导通电阻：11.3mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E220ATTB1
工作温度：150℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@2mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5850pF@15V
连续漏极电流：22A€76A
类型：P沟道
导通电阻：4.1mΩ@22A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E220ATTB1
工作温度：150℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@2mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5850pF@15V
连续漏极电流：22A€76A
类型：P沟道
导通电阻：4.1mΩ@22A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RS1E220ATTB1
工作温度：150℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@2mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5850pF@15V
连续漏极电流：22A€76A
类型：P沟道
导通电阻：4.1mΩ@22A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RS1L151ATTB1
工作温度：150℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@1mA
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栅极电荷：130nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6900pF@30V
连续漏极电流：56A
类型：P沟道
导通电阻：11.3mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E220ATTB1
工作温度：150℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@2mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5850pF@15V
连续漏极电流：22A€76A
类型：P沟道
导通电阻：4.1mΩ@22A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RS1L151ATTB1
工作温度：150℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6900pF@30V
连续漏极电流：56A
类型：P沟道
导通电阻：11.3mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1L151ATTB1
工作温度：150℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6900pF@30V
连续漏极电流：56A
类型：P沟道
导通电阻：11.3mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RS1L151ATTB1
工作温度：150℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@1mA
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栅极电荷：130nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6900pF@30V
连续漏极电流：56A
类型：P沟道
导通电阻：11.3mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RS1E220ATTB1
工作温度：150℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@2mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5850pF@15V
连续漏极电流：22A€76A
类型：P沟道
导通电阻：4.1mΩ@22A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RS1L151ATTB1
工作温度：150℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@1mA
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栅极电荷：130nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6900pF@30V
连续漏极电流：56A
类型：P沟道
导通电阻：11.3mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1L151ATTB1
工作温度：150℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6900pF@30V
连续漏极电流：56A
类型：P沟道
导通电阻：11.3mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RS1E220ATTB1
工作温度：150℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@2mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5850pF@15V
连续漏极电流：22A€76A
类型：P沟道
导通电阻：4.1mΩ@22A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E220ATTB1
工作温度：150℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@2mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5850pF@15V
连续漏极电流：22A€76A
类型：P沟道
导通电阻：4.1mΩ@22A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E220ATTB1
工作温度：150℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@2mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5850pF@15V
连续漏极电流：22A€76A
类型：P沟道
导通电阻：4.1mΩ@22A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1L151ATTB1
工作温度：150℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6900pF@30V
连续漏极电流：56A
类型：P沟道
导通电阻：11.3mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1L151ATTB1
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
栅极电荷：130nC@10V
连续漏极电流：56A
输入电容：6900pF@30V
漏源电压：60V
导通电阻：11.3mΩ@15A，10V
功率：3W
类型：P沟道
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E220ATTB1
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：150℃
栅极电荷：130nC@10V
导通电阻：4.1mΩ@22A，10V
阈值电压：2.5V@2mA
连续漏极电流：22A€76A
功率：3W
类型：P沟道
ECCN：EAR99
输入电容：5850pF@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK100E08N1，S1X
工作温度：150℃
功率：255W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：管件
输入电容：9000pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E220ATTB1
工作温度：150℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@2mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5850pF@15V
连续漏极电流：22A€76A
类型：P沟道
导通电阻：4.1mΩ@22A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E220ATTB1
工作温度：150℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@2mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5850pF@15V
连续漏极电流：22A€76A
类型：P沟道
导通电阻：4.1mΩ@22A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK72E12N1，S1X
工作温度：150℃
功率：255W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8100pF@60V
连续漏极电流：72A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@36A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK72E12N1，S1X
工作温度：150℃
功率：255W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8100pF@60V
连续漏极电流：72A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@36A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK100E08N1，S1X
工作温度：150℃
功率：255W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：管件
输入电容：9000pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK100E08N1，S1X
工作温度：150℃
功率：255W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：管件
输入电容：9000pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK72E12N1，S1X
工作温度：150℃
功率：255W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8100pF@60V
连续漏极电流：72A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@36A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK72E12N1，S1X
工作温度：150℃
功率：255W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8100pF@60V
连续漏极电流：72A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@36A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
