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    ECCN: EAR99
    栅极电荷: 30nC@10V
    漏源电压: 60V
    当前匹配商品:200+
    商品信息
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    VISHAY Mosfet场效应管 SI3127DV-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3127DV-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3127DV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€4.2W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:833pF@20V

    连续漏极电流:3.5A€13A

    类型:P沟道

    导通电阻:89mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3127DV-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3127DV-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3127DV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€4.2W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:833pF@20V

    连续漏极电流:3.5A€13A

    类型:P沟道

    导通电阻:89mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD20N06T4G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD20N06T4G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD20N06T4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.88W€60W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1015pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:46mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3127DV-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3127DV-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3127DV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€4.2W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:833pF@20V

    连续漏极电流:3.5A€13A

    类型:P沟道

    导通电阻:89mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA60EP-T1_BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA60EP-T1_BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA60EP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:12.5mΩ@8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6050SPS-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6050SPS-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP6050SPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2163pF@30V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFS3806TRLPBF 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFS3806TRLPBF 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFS3806TRLPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:71W

    阈值电压:4V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1150pF@50V

    连续漏极电流:43A

    类型:N沟道

    导通电阻:15.8mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA60EP-T1_BE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA60EP-T1_BE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA60EP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:12.5mΩ@8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3127DV-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3127DV-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3127DV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€4.2W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:833pF@20V

    连续漏极电流:3.5A€13A

    类型:P沟道

    导通电阻:89mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3127DV-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3127DV-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3127DV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€4.2W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:833pF@20V

    连续漏极电流:3.5A€13A

    类型:P沟道

    导通电阻:89mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR3806TRPBF 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR3806TRPBF 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR3806TRPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:71W

    阈值电压:4V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1150pF@50V

    连续漏极电流:43A

    类型:N沟道

    导通电阻:15.8mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSO613SPVGXUMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSO613SPVGXUMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSO613SPVGXUMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:875pF@25V

    连续漏极电流:3.44A

    类型:P沟道

    导通电阻:130mΩ@3.44A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ158EP-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ158EP-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ158EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@25V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:33mΩ@7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ158EP-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ158EP-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ158EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@25V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:33mΩ@7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA60EP-T1_BE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA60EP-T1_BE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA60EP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:12.5mΩ@8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS862ADN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS862ADN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS862ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.6W€39W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1235pF@30V

    连续漏极电流:15.8A€52A

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6050SPS-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6050SPS-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP6050SPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2163pF@30V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK6Y61-60PX 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK6Y61-60PX 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK6Y61-60PX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:66W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1060pF@30V

    连续漏极电流:25A

    类型:P沟道

    导通电阻:61mΩ@4,7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA60EP-T1_BE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA60EP-T1_BE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA60EP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:12.5mΩ@8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFS3806TRLPBF 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFS3806TRLPBF 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFS3806TRLPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:71W

    阈值电压:4V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1150pF@50V

    连续漏极电流:43A

    类型:N沟道

    导通电阻:15.8mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS862ADN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS862ADN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS862ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.6W€39W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1235pF@30V

    连续漏极电流:15.8A€52A

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRFR3806TRL 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRFR3806TRL 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AUIRFR3806TRL

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:71W

    阈值电压:4V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1150pF@50V

    连续漏极电流:43A

    类型:N沟道

    导通电阻:15.8mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK6Y61-60PX 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK6Y61-60PX 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK6Y61-60PX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:66W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1060pF@30V

    连续漏极电流:25A

    类型:P沟道

    导通电阻:61mΩ@4,7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR3806TRPBF 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR3806TRPBF 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR3806TRPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:71W

    阈值电压:4V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1150pF@50V

    连续漏极电流:43A

    类型:N沟道

    导通电阻:15.8mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFS3806TRLPBF 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFS3806TRLPBF 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFS3806TRLPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:71W

    阈值电压:4V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1150pF@50V

    连续漏极电流:43A

    类型:N沟道

    导通电阻:15.8mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS862ADN-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS862ADN-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS862ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.6W€39W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1235pF@30V

    连续漏极电流:15.8A€52A

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR3806TRPBF 起订4000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR3806TRPBF 起订4000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR3806TRPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:71W

    阈值电压:4V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1150pF@50V

    连续漏极电流:43A

    类型:N沟道

    导通电阻:15.8mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    INFINEON Mosfet场效应管 IRFS3806TRLPBF 起订1600个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFS3806TRLPBF 起订1600个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFS3806TRLPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:71W

    阈值电压:4V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1150pF@50V

    连续漏极电流:43A

    类型:N沟道

    导通电阻:15.8mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    DIODES Mosfet场效应管 DMP6050SPS-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6050SPS-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP6050SPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2163pF@30V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    ROHM Mosfet场效应管 RD3L220SNTL1 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 RD3L220SNTL1 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3L220SNTL1

    工作温度:150℃

    功率:20W

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1500pF@10V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:26mΩ@22A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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