采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：439，"19+"：1600}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3816-DL-1E
工作温度：150℃
功率：1.65W€50W
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1780pF@20V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK125V65Z，LQ
工作温度：150℃
功率：190W
阈值电压：4V@1.02mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@300V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P130SPFRATL
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：13A
类型：P沟道
导通电阻：200mΩ@6.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P130SPFRATL
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：13A
类型：P沟道
导通电阻：200mΩ@6.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P130SPTL1
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：13A
类型：P沟道
导通电阻：200mΩ@6.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P130SPTL1
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：13A
类型：P沟道
导通电阻：200mΩ@6.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P130SPTL1
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：13A
类型：P沟道
导通电阻：200mΩ@6.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK125V65Z，LQ
工作温度：150℃
功率：190W
阈值电压：4V@1.02mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@300V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P130SPFRATL
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：13A
类型：P沟道
导通电阻：200mΩ@6.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P130SPFRATL
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：13A
类型：P沟道
导通电阻：200mΩ@6.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK125V65Z，LQ
工作温度：150℃
功率：190W
阈值电压：4V@1.02mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@300V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P130SPFRATL
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：13A
类型：P沟道
导通电阻：200mΩ@6.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK125V65Z，LQ
工作温度：150℃
功率：190W
阈值电压：4V@1.02mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@300V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK125V65Z，LQ
工作温度：150℃
功率：190W
阈值电压：4V@1.02mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@300V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：439，"19+"：1600}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3816-DL-1E
工作温度：150℃
功率：1.65W€50W
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1780pF@20V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：439，"19+"：1600}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3816-DL-1E
工作温度：150℃
功率：1.65W€50W
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1780pF@20V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P130SPTL1
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：13A
类型：P沟道
导通电阻：200mΩ@6.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P130SPFRATL
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：13A
类型：P沟道
导通电阻：200mΩ@6.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P130SPFRATL
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：13A
类型：P沟道
导通电阻：200mΩ@6.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P130SPTL1
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：13A
类型：P沟道
导通电阻：200mΩ@6.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P130SPTL1
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：13A
类型：P沟道
导通电阻：200mΩ@6.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P130SPTL1
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：13A
类型：P沟道
导通电阻：200mΩ@6.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P130SPTL1
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：13A
类型：P沟道
导通电阻：200mΩ@6.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：439，"19+"：1600}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3816-DL-1E
工作温度：150℃
功率：1.65W€50W
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1780pF@20V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P130SPFRATL
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：13A
类型：P沟道
导通电阻：200mΩ@6.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK14N65W5，S1F
工作温度：150℃
功率：130W
阈值电压：4.5V@690µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1300pF@300V
连续漏极电流：13.7A
类型：N沟道
导通电阻：300mΩ@6.9A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6515ENXC7G
工作温度：150℃
功率：60W
阈值电压：4V@430µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：910pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：315mΩ@6.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P130SPFRATL
导通电阻：200mΩ@6.5A，10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
栅极电荷：40nC@10V
连续漏极电流：13A
功率：20W
类型：P沟道
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
输入电容：2400pF@25V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"17+"：439，"19+"：1600}
规格型号(MPN)：2SK3816-DL-1E
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
栅极电荷：40nC@10V
类型：N沟道
漏源电压：60V
功率：1.65W€50W
导通电阻：26mΩ@20A，10V
输入电容：1780pF@20V
ECCN：EAR99
连续漏极电流：40A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P130SPTL1
导通电阻：200mΩ@6.5A，10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
栅极电荷：40nC@10V
连续漏极电流：13A
功率：20W
类型：P沟道
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
输入电容：2400pF@25V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
