品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC009NE2LS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€74W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3900pF@12V
连续漏极电流:41A€100A
类型:N沟道
导通电阻:0.9mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ443EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2030pF@20V
连续漏极电流:40A
类型:P沟道
导通电阻:29mΩ@18A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8023S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€59W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3550pF@15V
连续漏极电流:26A€49A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@26A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTP110N055T2
工作温度:-55℃~175℃
功率:180W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3060pF@25V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:6.6mΩ@25A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7370DP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:9.6A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@12A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R5-30YL,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:88W
阈值电压:2.15V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3468pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R5-30YL,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:88W
阈值电压:2.15V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3468pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8023S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€59W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3550pF@15V
连续漏极电流:26A€49A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@26A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC009NE2LS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€74W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3900pF@12V
连续漏极电流:41A€100A
类型:N沟道
导通电阻:0.9mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC009NE2LS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€74W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3900pF@12V
连续漏极电流:41A€100A
类型:N沟道
导通电阻:0.9mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC009NE2LS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€74W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3900pF@12V
连续漏极电流:41A€100A
类型:N沟道
导通电阻:0.9mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"MI+":3543}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD30N08S222ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:4V@80µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:21.5mΩ@50A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"09+":2155}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8854
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€41W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:57nC@10V
输入电容:3405pF@10V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:5.7mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"MI+":3543}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD30N08S222ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:4V@80µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:21.5mΩ@50A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":19566,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB50N12S3L15ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:2.4V@60µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4180pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:15.7mΩ@50A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7672
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€33W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3890pF@15V
连续漏极电流:16.9A€20A
类型:N沟道
导通电阻:5.7mΩ@16.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7370DP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:9.6A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@12A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"MI+":3543}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD30N08S222ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:4V@80µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:21.5mΩ@50A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19532KTT
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:3.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5060pF@50V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:5.6mΩ@90A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC009NE2LS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€74W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3900pF@12V
连续漏极电流:41A€100A
类型:N沟道
导通电阻:0.9mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":4000,"18+":2333}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJK0603DPN-E0#T2
工作温度:150℃
功率:125W
ECCN:EAR99
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4150pF@10V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:5.2mΩ@40A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7370DP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:9.6A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@12A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":15500,"19+":12484}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPI50N12S3L15AKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:2.4V@60µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4180pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:15.7mΩ@50A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS32LDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2550pF@40V
类型:N沟道
导通电阻:7.2mΩ@15A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7403TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@25V
连续漏极电流:8.5A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18542KTTT
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5070pF@30V
连续漏极电流:200A€170A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ443EP-T2_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2030pF@20V
连续漏极电流:40A
类型:P沟道
导通电阻:29mΩ@18A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF099N65S3
工作温度:-55℃~150℃
功率:43W
阈值电压:4.5V@3mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2310pF@400V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@15A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC009NE2LS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€74W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3900pF@12V
连续漏极电流:41A€100A
类型:N沟道
导通电阻:0.9mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ443EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2030pF@20V
连续漏极电流:40A
类型:P沟道
导通电阻:29mΩ@18A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: