采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ443EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2030pF@20V
连续漏极电流：40A
类型：P沟道
导通电阻：29mΩ@18A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP110N055T2
工作温度：-55℃~175℃
功率：180W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3060pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：6.6mΩ@25A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R5-30YL，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：88W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3468pF@12V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R5-30YL，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：88W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3468pF@12V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"MI+"：3352}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD30N08S222ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：4V@80µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：21.5mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"MI+"：3352}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD30N08S222ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：4V@80µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：21.5mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：19566，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB50N12S3L15ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：2.4V@60µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4180pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：15.7mΩ@50A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"MI+"：3352}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD30N08S222ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：4V@80µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：21.5mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19532KTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：3.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5060pF@50V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@90A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：15500，"19+"：12484}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPI50N12S3L15AKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：2.4V@60µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4180pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：15.7mΩ@50A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18542KTTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5070pF@30V
连续漏极电流：200A€170A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ443EP-T2_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2030pF@20V
连续漏极电流：40A
类型：P沟道
导通电阻：29mΩ@18A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ443EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2030pF@20V
连续漏极电流：40A
类型：P沟道
导通电阻：29mΩ@18A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18542KTTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5070pF@30V
连续漏极电流：200A€170A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19532KTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：3.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5060pF@50V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@90A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ443EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2030pF@20V
连续漏极电流：40A
类型：P沟道
导通电阻：29mΩ@18A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ443EP-T2_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2030pF@20V
连续漏极电流：40A
类型：P沟道
导通电阻：29mΩ@18A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R5-30YL，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：88W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3468pF@12V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19532KTTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：3.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5060pF@50V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@90A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18542KTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5070pF@30V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19532KTTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：3.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5060pF@50V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@90A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19532KTTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：3.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5060pF@50V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@90A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R5-30YL，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：88W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3468pF@12V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD30N08S222ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：4V@80µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：21.5mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ443EP-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2030pF@20V
连续漏极电流：40A
类型：P沟道
导通电阻：29mΩ@18A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ443EP-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2030pF@20V
连续漏极电流：40A
类型：P沟道
导通电阻：29mΩ@18A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD30N08S222ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：4V@80µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：21.5mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD30N08S222ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：4V@80µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：21.5mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19532KTTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：3.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5060pF@50V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@90A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：400}
销售单位：个
规格型号(MPN)：AUIRFS6535TRL
工作温度：-55℃~175℃
功率：210W
阈值电压：5V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2340pF@25V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：185mΩ@11A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
