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    ECCN: EAR99
    栅极电荷: 57nC@10V
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    当前匹配商品:100+
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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ443EP-T1_GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ443EP-T1_GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ443EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2030pF@20V

    连续漏极电流:40A

    类型:P沟道

    导通电阻:29mΩ@18A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTP110N055T2 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTP110N055T2 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTP110N055T2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:180W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3060pF@25V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.6mΩ@25A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R5-30YL,115 起订2个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R5-30YL,115 起订2个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN2R5-30YL,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:88W

    阈值电压:2.15V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3468pF@12V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R5-30YL,115 起订2个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R5-30YL,115 起订2个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN2R5-30YL,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:88W

    阈值电压:2.15V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3468pF@12V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD30N08S222ATMA1 起订197个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD30N08S222ATMA1 起订197个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"MI+":3352}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD30N08S222ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:4V@80µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:21.5mΩ@50A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD30N08S222ATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD30N08S222ATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"MI+":3352}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD30N08S222ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:4V@80µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:21.5mΩ@50A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB50N12S3L15ATMA1 起订363个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB50N12S3L15ATMA1 起订363个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":19566,"MI+":1000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB50N12S3L15ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:100W

    阈值电压:2.4V@60µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4180pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:15.7mΩ@50A,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD30N08S222ATMA1 起订300个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD30N08S222ATMA1 起订300个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"MI+":3352}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD30N08S222ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:4V@80µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:21.5mΩ@50A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD19532KTT 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19532KTT 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19532KTT

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:250W

    阈值电压:3.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5060pF@50V

    连续漏极电流:200A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.6mΩ@90A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPI50N12S3L15AKSA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPI50N12S3L15AKSA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"16+":15500,"19+":12484}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPI50N12S3L15AKSA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:100W

    阈值电压:2.4V@60µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4180pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:15.7mΩ@50A,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18542KTTT 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18542KTTT 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18542KTTT

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:250W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5070pF@30V

    连续漏极电流:200A€170A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@100A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ443EP-T2_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ443EP-T2_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ443EP-T2_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2030pF@20V

    连续漏极电流:40A

    类型:P沟道

    导通电阻:29mΩ@18A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ443EP-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ443EP-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ443EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2030pF@20V

    连续漏极电流:40A

    类型:P沟道

    导通电阻:29mΩ@18A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18542KTTT 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18542KTTT 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18542KTTT

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:250W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5070pF@30V

    连续漏极电流:200A€170A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@100A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD19532KTT 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19532KTT 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19532KTT

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:250W

    阈值电压:3.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5060pF@50V

    连续漏极电流:200A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.6mΩ@90A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ443EP-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ443EP-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ443EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2030pF@20V

    连续漏极电流:40A

    类型:P沟道

    导通电阻:29mΩ@18A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ443EP-T2_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ443EP-T2_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ443EP-T2_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2030pF@20V

    连续漏极电流:40A

    类型:P沟道

    导通电阻:29mΩ@18A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R5-30YL,115 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R5-30YL,115 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN2R5-30YL,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:88W

    阈值电压:2.15V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3468pF@12V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD19532KTTT 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19532KTTT 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19532KTTT

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:250W

    阈值电压:3.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5060pF@50V

    连续漏极电流:200A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.6mΩ@90A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18542KTT 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18542KTT 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18542KTT

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:250W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5070pF@30V

    连续漏极电流:200A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@100A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD19532KTTT 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19532KTTT 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19532KTTT

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:250W

    阈值电压:3.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5060pF@50V

    连续漏极电流:200A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.6mΩ@90A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD19532KTTT 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19532KTTT 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19532KTTT

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:250W

    阈值电压:3.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5060pF@50V

    连续漏极电流:200A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.6mΩ@90A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R5-30YL,115 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R5-30YL,115 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN2R5-30YL,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:88W

    阈值电压:2.15V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3468pF@12V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD30N08S222ATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD30N08S222ATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD30N08S222ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:4V@80µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:21.5mΩ@50A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ443EP-T1_BE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ443EP-T1_BE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ443EP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2030pF@20V

    连续漏极电流:40A

    类型:P沟道

    导通电阻:29mΩ@18A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ443EP-T1_BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ443EP-T1_BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ443EP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2030pF@20V

    连续漏极电流:40A

    类型:P沟道

    导通电阻:29mΩ@18A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD30N08S222ATMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD30N08S222ATMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD30N08S222ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:4V@80µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:21.5mΩ@50A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD30N08S222ATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD30N08S222ATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD30N08S222ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:4V@80µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:21.5mΩ@50A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD19532KTTT 起订50个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19532KTTT 起订50个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19532KTTT

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:250W

    阈值电压:3.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5060pF@50V

    连续漏极电流:200A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.6mΩ@90A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRFS6535TRL 起订168个装
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRFS6535TRL 起订168个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":400}

    销售单位:

    规格型号(MPN):AUIRFS6535TRL

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:210W

    阈值电压:5V@150µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2340pF@25V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:185mΩ@11A,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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