品牌:Central
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CWDM3011P TR13 PBFREE
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@8V
连续漏极电流:11A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR870ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€125W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2866pF@50V
连续漏极电流:21.8A€95A
类型:N沟道
导通电阻:6.6mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":3140,"22+":7497,"23+":7200,"MI+":2400}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7610-100B,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6773pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":87,"20+":890}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB80N06S209ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:190W
阈值电压:4V@125µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2360pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@50A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):400psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFH5104TR2PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W€114W
阈值电压:4V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3120pF@25V
连续漏极电流:24A€100A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":20000,"17+":4000,"18+":16954}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPI80N06S2L11AKSA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:158W
阈值电压:2V@93µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2075pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:10.7mΩ@40A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB70N10S3L12ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:2.4V@83µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5550pF@25V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:11.8mΩ@70A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB80N06S209ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:190W
阈值电压:4V@125µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2360pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@50A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW60R099CPFKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:255W
阈值电压:3.5V@1.2mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2800pF@100V
连续漏极电流:31A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@18A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8360L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€54W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5795pF@20V
连续漏极电流:27A€80A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@27A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD80P03P4L07ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:88W
阈值电压:2V@130µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5700pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:P沟道
导通电阻:6.8mΩ@80A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA02EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4700pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB80N06S209ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:190W
阈值电压:4V@125µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2360pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@50A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP70N10S3L12AKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:2.4V@83µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5550pF@25V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:12.1mΩ@70A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD80P03P4L07ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:88W
阈值电压:2V@130µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5700pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:P沟道
导通电阻:6.8mΩ@80A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPHR9203PL,L1Q
工作温度:175℃
功率:132W
阈值电压:2.1V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7540pF@15V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":14500}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPI70N10S3L12AKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:2.4V@83µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5550pF@25V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:12.1mΩ@70A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR870ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2866pF@50V
连续漏极电流:95A
类型:N沟道
导通电阻:6.6mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":520,"22+":3759,"23+":3000,"MI+":3255}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8360LET40
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.8W€75W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5300pF@20V
连续漏极电流:27A€141A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@27A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1489}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB70N10S3L12ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:2.4V@83µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5550pF@25V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:11.8mΩ@70A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":3140,"22+":7497,"23+":7200,"MI+":2400}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7610-100B,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6773pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA81EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5900pF@25V
连续漏极电流:46A
类型:P沟道
导通电阻:17.3mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR870ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€125W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2866pF@50V
连续漏极电流:21.8A€95A
类型:N沟道
导通电阻:6.6mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":373,"19+":3400}
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPI60R099CPAAKSA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:255W
阈值电压:3.5V@1.2mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2800pF@100V
连续漏极电流:31A
类型:N沟道
导通电阻:105mΩ@18A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":8201,"19+":13451}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP80N06S2L11AKSA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:158W
阈值电压:2V@93µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2075pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:10.7mΩ@40A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR870ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€125W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2866pF@50V
连续漏极电流:21.8A€95A
类型:N沟道
导通电阻:6.6mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP60R099CPXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:255W
阈值电压:3.5V@1.2mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2800pF@100V
连续漏极电流:31A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@18A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":23,"20+":850,"22+":26}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB140N08S404ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:161W
阈值电压:4V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5500pF@25V
连续漏极电流:140A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":520,"22+":3759,"23+":3000,"MI+":3255}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8360LET40
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.8W€75W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5300pF@20V
连续漏极电流:27A€141A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@27A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":46,"23+":500}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SJ661-1E
工作温度:150℃
功率:1.65W€65W
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4360pF@20V
连续漏极电流:38A
类型:P沟道
导通电阻:39mΩ@19A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: