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    栅极电荷: 80nC@10V
    行业应用: 汽车
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    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBG30PBF 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBG30PBF 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFBG30PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:980pF@25V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@1.9A,10V

    漏源电压:1000V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPW60R099CPFKSA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPW60R099CPFKSA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPW60R099CPFKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:255W

    阈值电压:3.5V@1.2mA

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2800pF@100V

    连续漏极电流:31A

    类型:N沟道

    导通电阻:99mΩ@18A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50P04-13L_T4GE3 起订2500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50P04-13L_T4GE3 起订2500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50P04-13L_T4GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€136W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3590pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:13mΩ@17A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Central Mosfet场效应管 CWDM3011P TR13 PBFREE 起订3个装
    Central Mosfet场效应管 CWDM3011P TR13 PBFREE 起订3个装

    品牌:Central

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CWDM3011P TR13 PBFREE

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3100pF@8V

    连续漏极电流:11A

    类型:P沟道

    导通电阻:20mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFPG30PBF 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFPG30PBF 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFPG30PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:980pF@25V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@1.9A,10V

    漏源电压:1000V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR870ADP-T1-RE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR870ADP-T1-RE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIDR870ADP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€125W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2866pF@50V

    连续漏极电流:21.8A€95A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7610-100B,118 起订243个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7610-100B,118 起订243个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":3140,"22+":7497,"23+":7200,"MI+":2400}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7610-100B,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6773pF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@25A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 APT7F120S 起订1个装
    Microchip Mosfet场效应管 APT7F120S 起订1个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):APT7F120S

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:335W

    阈值电压:5V@1mA

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2565pF@25V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4Ω@3A,10V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR870ADP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR870ADP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR870ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2866pF@50V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB80N06S209ATMA2 起订311个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB80N06S209ATMA2 起订311个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":87,"20+":890}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB80N06S209ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:190W

    阈值电压:4V@125µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2360pF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.8mΩ@50A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR870ADP-T1-RE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR870ADP-T1-RE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR870ADP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2866pF@50V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFH5104TR2PBF 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFH5104TR2PBF 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):400psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFH5104TR2PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.6W€114W

    阈值电压:4V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3120pF@25V

    连续漏极电流:24A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPI80N06S2L11AKSA2 起订378个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPI80N06S2L11AKSA2 起订378个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"14+":20000,"17+":4000,"18+":16954}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPI80N06S2L11AKSA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:158W

    阈值电压:2V@93µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2075pF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.7mΩ@40A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR870ADP-T1-RE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR870ADP-T1-RE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR870ADP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2866pF@50V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR870ADP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR870ADP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR870ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2866pF@50V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB70N10S3L12ATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB70N10S3L12ATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB70N10S3L12ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:2.4V@83µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5550pF@25V

    连续漏极电流:70A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.8mΩ@70A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTH4LN067N65S3H 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTH4LN067N65S3H 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTH4LN067N65S3H

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:266W

    阈值电压:4V@3.9mA

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3750pF@400V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:67mΩ@20A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ444EP-T1_BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ444EP-T1_BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ444EP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5000pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB70N10S3L12ATMA1 起订5个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB70N10S3L12ATMA1 起订5个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB70N10S3L12ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:2.4V@83µA

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5550pF@25V

    连续漏极电流:70A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.8mΩ@70A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB80N06S209ATMA2 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB80N06S209ATMA2 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB80N06S209ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:190W

    阈值电压:4V@125µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2360pF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.8mΩ@50A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPW60R099CPFKSA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPW60R099CPFKSA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPW60R099CPFKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:255W

    阈值电压:3.5V@1.2mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2800pF@100V

    连续漏极电流:31A

    类型:N沟道

    导通电阻:99mΩ@18A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8360L 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8360L 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC8360L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€54W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5795pF@20V

    连续漏极电流:27A€80A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.1mΩ@27A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD80P03P4L07ATMA2 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD80P03P4L07ATMA2 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD80P03P4L07ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:88W

    阈值电压:2V@130µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5700pF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:P沟道

    导通电阻:6.8mΩ@80A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA02EP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA02EP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA02EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4700pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB80N06S209ATMA2 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB80N06S209ATMA2 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB80N06S209ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:190W

    阈值电压:4V@125µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2360pF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.8mΩ@50A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD3670 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD3670 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD3670

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€83W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2490pF@50V

    连续漏极电流:34A

    类型:N沟道

    导通电阻:32mΩ@7.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP70N10S3L12AKSA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP70N10S3L12AKSA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP70N10S3L12AKSA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:2.4V@83µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5550pF@25V

    连续漏极电流:70A

    类型:N沟道

    导通电阻:12.1mΩ@70A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD80P03P4L07ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD80P03P4L07ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD80P03P4L07ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:88W

    阈值电压:2V@130µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5700pF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:P沟道

    导通电阻:6.8mΩ@80A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD80P03P4L07ATMA2 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD80P03P4L07ATMA2 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD80P03P4L07ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:88W

    阈值电压:2V@130µA

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5700pF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:P沟道

    导通电阻:6.8mΩ@80A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTP067N65S3H 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTP067N65S3H 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTP067N65S3H

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:266W

    阈值电压:4V@3.9mA

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3750pF@400V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:67mΩ@20A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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