采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFBG30PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：980pF@25V
连续漏极电流：3.1A
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@1.9A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW60R099CPFKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：255W
阈值电压：3.5V@1.2mA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2800pF@100V
连续漏极电流：31A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@18A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFPG30PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：980pF@25V
连续漏极电流：3.1A
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@1.9A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR870ADP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€125W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2866pF@50V
连续漏极电流：21.8A€95A
类型：N沟道
导通电阻：6.6mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：3140，"22+"：7497，"23+"：7200，"MI+"：2400}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7610-100B，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6773pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT7F120S
工作温度：-55℃~150℃
功率：335W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2565pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：2.4Ω@3A，10V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR870ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2866pF@50V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：6.6mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：87，"20+"：890}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB80N06S209ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：190W
阈值电压：4V@125µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2360pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@50A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR870ADP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2866pF@50V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：6.6mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：400psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFH5104TR2PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€114W
阈值电压：4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3120pF@25V
连续漏极电流：24A€100A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：20000，"17+"：4000，"18+"：16954}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPI80N06S2L11AKSA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：158W
阈值电压：2V@93µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2075pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：10.7mΩ@40A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR870ADP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2866pF@50V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：6.6mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR870ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2866pF@50V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：6.6mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB70N10S3L12ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：2.4V@83µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5550pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：11.8mΩ@70A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4LN067N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：266W
阈值电压：4V@3.9mA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3750pF@400V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：67mΩ@20A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ444EP-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5000pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB70N10S3L12ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：2.4V@83µA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5550pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：11.8mΩ@70A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB80N06S209ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：190W
阈值电压：4V@125µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2360pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@50A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW60R099CPFKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：255W
阈值电压：3.5V@1.2mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2800pF@100V
连续漏极电流：31A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@18A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8360L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€54W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5795pF@20V
连续漏极电流：27A€80A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@27A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA02EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4700pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB80N06S209ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：190W
阈值电压：4V@125µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2360pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@50A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3670
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€83W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2490pF@50V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@7.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP70N10S3L12AKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：2.4V@83µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5550pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：12.1mΩ@70A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP067N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：266W
阈值电压：4V@3.9mA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3750pF@400V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：67mΩ@20A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPHR9203PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：132W
阈值电压：2.1V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7540pF@15V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFH12N100P
工作温度：-55℃~150℃
功率：463W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：Tube
输入电容：4080pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：1.05Ω@6A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJ1U330AAFRGTL
工作温度：150℃
功率：211W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4500pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：105mΩ@16.5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFBG30PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：980pF@25V
连续漏极电流：3.1A
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@1.9A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOB266L
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.1W€268W
阈值电压：3.2V@250µA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6800pF@30V
连续漏极电流：18A€140A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
