采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS10DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3750pF@20V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：2.65mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA58DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：27.7W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3750pF@20V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：2.65mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA58DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：27.7W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3750pF@20V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：2.65mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA58DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：27.7W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3750pF@20V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：2.65mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA58DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：27.7W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3750pF@20V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：2.65mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMYS1D3N04CTWG
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.9W€134W
阈值电压：3.5V@180μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.855nF@25V
连续漏极电流：252A€43A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.15mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA58DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：27.7W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3750pF@20V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：2.65mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS10DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3750pF@20V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：2.65mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMYS1D3N04CTWG
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.9W€134W
阈值电压：3.5V@180μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.855nF@25V
连续漏极电流：252A€43A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.15mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5H414NLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€110W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4550pF@20V
连续漏极电流：35A€210A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL9406-F085T6
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.3W€136.4W
阈值电压：3.5V@190µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4960pF@25V
连续漏极电流：45A€240A
类型：N沟道
导通电阻：1.21mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL9406-F085T6
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.3W€136.4W
阈值电压：3.5V@190µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4960pF@25V
连续漏极电流：45A€240A
类型：N沟道
导通电阻：1.21mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：1601，"22+"：31934}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL9406-F085T6
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.3W€136.4W
阈值电压：3.5V@190µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4960pF@25V
连续漏极电流：45A€240A
类型：N沟道
导通电阻：1.21mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5H414NLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€110W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4550pF@20V
连续漏极电流：35A€210A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL9406-F085T6
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.3W€136.4W
阈值电压：3.5V@190µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4960pF@25V
连续漏极电流：45A€240A
类型：N沟道
导通电阻：1.21mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA58DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：27.7W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3750pF@20V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：2.65mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ5540-AU_R2_002A1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W€125W
阈值电压：2.3V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4950pF@25V
连续漏极电流：31A€192A
类型：N沟道
导通电阻：1.88mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ5540-AU_R2_002A1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W€125W
阈值电压：2.3V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4950pF@25V
连续漏极电流：31A€192A
类型：N沟道
导通电阻：1.88mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA58DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：27.7W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3750pF@20V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：2.65mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS10DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3750pF@20V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：2.65mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：9713}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD9509L-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3350pF@20V
连续漏极电流：90A
类型：P沟道
导通电阻：7.5mΩ@70A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：1500，"21+"：67500，"22+"：1500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5H414NLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€110W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4550pF@20V
连续漏极电流：35A€210A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA58DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：27.7W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3750pF@20V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：2.65mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA58DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：27.7W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3750pF@20V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：2.65mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMYS1D3N04CTWG
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.9W€134W
阈值电压：3.5V@180μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.855nF@25V
连续漏极电流：252A€43A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.15mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS10DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3750pF@20V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：2.65mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA58DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：27.7W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3750pF@20V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：2.65mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：9713}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD9509L-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3350pF@20V
连续漏极电流：90A
类型：P沟道
导通电阻：7.5mΩ@70A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMYS1D3N04CTWG
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.9W€134W
阈值电压：3.5V@180μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.855nF@25V
连续漏极电流：252A€43A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.15mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL9406-F085T6
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.3W€136.4W
阈值电压：3.5V@190µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4960pF@25V
连续漏极电流：45A€240A
类型：N沟道
导通电阻：1.21mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
